Небольсин, Валерий Александрович
Валерий Александрович Небольсин
- Место рождения
- с. Горенские Выселки, Воронежская область
- Научная сфера
- физика конденсированного состояния, полупроводниковые нанокристаллы и наноструктуры
- Место работы
- Воронежский государственный технический университет
- Учёная степень
- Учёная степень: доктор технических наук
- Учёное звание
- Доцент
- Альма-матер
- Воронежский политехнический институт
- Известен как
- Соавтор критерия Небольсина-Щетинина-Гласа
Награды и премии
Серебряная медаль ВДНХ СССР (пост. №182-Н от 15.11.91 №10974) Лауреат премии "Лидер года" Воронежской области в номинации "Наука" (2011) Бронзовая медаль 66-й Международной выставки «Идеи - Изобретения - Новые Продукты» IENA-2014 в г. Эль-Кувейте (Кувейт) Серебряная медаль 7-й Международной выставки изобретений IIFME-2014 в г. Нюрнберг (Германия).
Валерий Александрович Небольсин (родился 5 июля 1963 года, с. Горенские Выселки, Воронежская область) — физик, доктор технических наук, декан факультета радиотехники и электроники Воронежского государственного технического университета
Научный вклад[править]
Совместно со А. А. Щетининым и Ф. Гласом сформулировал критерий стационарного роста нитевидных нанокристаллов (ННК) и условия нуклеации на тройной линии (критерий Небольсина-Щетинина-Гласа)[1][2]. Обнаружил эффект макрослоя (усечение кромки кристалла) под каплей катализатора в процессе роста ННК[3]. Установил адсорбционную природу оксида графена[4]
Признание заслуг[править]
В 2019 году патент № 2681037 "«Способ выращивания нитевидных нанокристаллов диоксида кремния» включен в базу Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года[5]
На 22-м Московском международном салоне изобретений и инновационных технологий «Архимед» (2019) разработка «Способ выращивания острийных нитевидных кристаллов кремния» (авторы: В. А. Небольсин, А. И. Дунаев, А. Ф. Татаренков, А. С. Самофалова) была удостоен серебряной медали[6]
За заслуги в области образования награждён нагрудным знаком «Почетный работник высшего профессионального образования РФ» (2016).
Примечания[править]
- ↑ Дубровский В.Г. Физические следствия эквивалентности условий стационарного роста нитевидных нанокристаллов и нуклеации на тройной линии // Письма в журнал технической физики. — 2011. — том 37. — № 2. — С. 1—11.
- ↑ Schmidt V., Wittemann J. V., Senz S., Go¨sele U. A Review on Aspects of their Growth and their Electrical Properties // Advanced Materials. — 2009. — том 21. — С. 2681–2702.
- ↑ Shchetinin A.A., Darinskii B.M., Kozenkov O.D., Nebol'sin V.A. Mechanism for early stages of silicon whisker growth // Inorganic materials. — 1990. — том 26. — № 7. — С. 1353—1357.
- ↑ Nebol'sin V.A., Silina Y.E., Galstyan V. Graphene oxide and its chemical nature: Multi-stage interactions between the oxygen the graphene // Surfaces and Interfaces. — 2020. — том 21. — С. 100763.
- ↑ Перечень изобретений, получивших правовую охрану и включенных в базу победителей номинации Роспатента «100 лучших изобретений России» за 2019 год и первое полугодие 2020 года. Роспатент.
- ↑ XXII Mockobckił международный Салон изобретений..