Дмитрий Залманович Гарбузов

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Дмитрий Залманович Гарбузов

DmitriGarbuzov.jpg
Дата рождения 27 октября 1940 года
Место рождения Екатеринбург
Дата смерти 20 августа 2006 года
Место смерти Принстон








Известен как разработка полупроводниковых гетероструктур, разработка нового метода жидкофазной эпитаксии.
Награды и премии Ленинская премия — 1972Государственная премия СССР — 1987



Дмитрий Залманович Гарбузов (Dmitri Z. Garbuzov) — физик[1].

Содержание

[править] Биография

Родился в 1940 году в Свердловске (Екатеринбурге) в семье инженера Залмана.

В 1962 году окончил ЛГУ.

С 1964 года работал в группе Ж.И. Алфёрова в ЛФТИ, с 1979 года — завлаборатории, с 1964 года — завотделом.

В 1968 году защитил кандидатскую, а в 1979 году — докторскую работу по теме «Излучательная рекомбинация в AlGaAs — гетероструктурах».

В 1972 году — лауреат Ленинской премии — за «Фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и разработки новых устройств на их основе».

В 1987 году стал лауреатом госпремии.

Его исследования и научные достижения описываются следующим образом:

Один из пионеров создания диодных лазеров, работающих при комнатных температурах, и диодных лазеров высокой мощности. Внес определяющий вклад в создание диодных лазеров с длиной волны от 0,8 до 2,7 мкм. Занимался излучательной рекомбинацией в гетероструктурах и созданием лазеров на их основе. Внес с сотрудниками важный вклад в получение гетероструктур методом жидкофазной эпитаксии. Под его руководством были исследованы гетеропереходы в твердых растворах InGaAsP/InP. Лазеры на основе такой структуры сегодня являются основой оптической связи. Выполнил важные работы по разработке мощных диодных лазеров. Выдвинутые им идеи служат основой для всей отрасли производства лазеров высокой мощности для промышленного производства[2].

В 1991 году — ч.-к. РАН.

В 1992 году был удостоен премии Гумбольдта и получил финансирование для годичной работы в Техническом университе в Берлине, во время которой осуществил работы по лазерам с распределенноё обратной связью на основе InAlGaAs / InGaAs.

В 1994 году эмигрировал в Соединённые Штаты. Трудился в Принстонском университете, Sarnov Corporation и нескольких компаниях, связанных с лазерной техникой.

В 2000 году стал одним из основателей Princeton Lightwave Inc, в котором занимал должность вице-президента по исследованиям.

Сферы исследований — физика твёрдого тела, например полупроводников; разрабатывал теорию полупроводниковых гетероструктур, а также предложил новаторский способ жидкофазной эпитаксии.

Со своей супругой Галиной имел двоих детей (Алина и Дмитрий).

Скончался в 2006 году в Принстоне, штат Нью-Джерси.

[править] Патенты США

Номер патента Название
7,084,444 Method and apparatus for improving efficiency in opto-electronic radiation source devices
6,650,671 Semiconductor diode lasers with improved beam divergence
6,650,045 Displays having mesa pixel configuration
6,600,764 High power single mode semiconductor laser
6,556,611 Wide stripe distributed Bragg reflector lasers with improved angular and spectral characteristics
6,459,715 Master-oscillator grating coupled power amplifier with angled amplifier section
6,404,125 Method and apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
6,366,018 Apparatus for performing wavelength-conversion using phosphors with light emitting diodes
6,330,263 Laser diode having separated, highly strained quantum wells
6,301,279 Semiconductor diode lasers with thermal sensor control of the active region temperature
6,133,520 Heterojunction thermophotovoltaic cell
6,125,226 Light emitting devices having high brightness
6,091,195 Displays having mesa pixel configuration
6,046,543 High reliability, high efficiency, integratable organic light emitting devices and methods of producing same
6,005,252 Method and apparatus for measuring film spectral properties
5,986,268 Organic luminescent coating for light detectors
5,874,803 Light emitting device with stack of OLEDS and phosphor downconverter
5,834,893 High efficiency organic light emitting devices with light directing structures
5,818,860 High power semiconductor laser diode

[править] Труды

  • H. Lee, P.K. York, R.J. Menna, R.U. Martinelli, D.Z. Garbuzov, S.Y. Narayan, and J.C. Connolly, Room-temperature 2.78 µm AlGaAsSb/InGaAsSb quantum-well lasers, Applied Physics Letters volume 66, issue 15, page 1942,(1995)
  • D.Z. Garbuzov et al."2.3-2.7 room temperature CW operation of InGaAsSb/AlGaAsSb broad waveguide SCH-QW diode lasers". IEEE Photon. Technology Letters v. 11 pp. 794–796, (1999).
  • G. Gu, D.Z. Garbuzov, P.E. Burrows, S. Venkatesh, S.R. Forrest, and M.E. Thompson, High-external-quantum-efficiency organic light-emitting devices, Optics Letters volume 22, page 396.
  • V. Bulović, V.B. Khalfin, G. Gu, P.E. Burrows, D.Z. Garbuzov, S.R. Forrest Weak microcavity effects in organic light-emitting devices, Physical Review B volume 58, page 3730.
  • L.J. Mawst, A. Bhattacharya, J. Lopez, D. Botez, D. Z. Garbuzov, L. DiMarco, J. C. Connolly, M. Jansen, F. Fang, and R.F. Nabiev,.8 W continuous wave front-facet power from broad-waveguide Al-free 980 nm diode lasers, Applied Physics Letters volume 69, page 1532.

[править] Источники

Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты