Моисей Семёнович Хайкин

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Моисей Семёнович Хайкин

М. С. Хайкин.jpg
Дата рождения 5 декабря 1921 года
Место рождения Москва, РСФСР
Дата смерти 7 декабря 1990 года
Гражданство Москва, СССР



Научная сфера физика




Известен как физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, изучавший устойчивость заряженной поверхности жидкого гелия, инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии в СССР
Награды и премии Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию



Моисей Семёнович Хайкин — деятель науки[1].

[править] Биография

Родился в семье видного учёного.

В 1947 окончил МГУ.

С 1945 трудился в ИФП. Википедия следующим образом описывает его результаты:

Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).
На основе его работ был получен важный для теории металлов результат — установлено, что поверхности Ферми имеют форму, близкую к модели почти свободных электронов. Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).
Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).

В 1947—1950 преподавал в МГУ, затем — в МФТИ.

В 1952 — к.ф.-м.н.[2]

В 1962 или 1964 — д.ф.-м.н.[3]

В 1968 изобрёл дилатометр.

В 1961 представил способ измерения поверхностного сопротивления металлов при низких температурах.

В 1973 открыл циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах.

В 1978—1983 выявил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах, иногда приводящую к существенному росту температуры сверхпроводящего перехода.

В 1985 изобрёл 1-й в Союзе сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции и использовал его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987).

В 1987 — ч.-к. АН СССР.

С 1988 — главред журнала «Приборы и техника эксперимента».

В 1989 — профессор.

[править] Источники

  1. Российская Еврейская Энциклопедия
  2. Кандидатскую диссертацию защитил по теме «Измерение поверхностного сопротивления сверхпроводящего олова на частоте 9400 мегагерц».
  3. Докторскую диссертацию защитил по теме «Исследование свойств электронов проводимости металлов на сверхвысоких частотах».
Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты