Эммануил Ильич Адирович

Эммануил Ильич Адирович

Научный деятель

 

Дата рождения

24 августа 1915 года

Место рождения

Мелитополь, Российская империя

Дата смерти

10 сентября 1973 года

Место смерти

Ташкент, СССР

Эммануил Ильич Адирович — советский физик-теоретик, академик АН Узбекской ССР, доктор физико-математических наук, профессор.

Карьера

Эммануил Адирович родился 24 августа 1915 года в Мелитополе.

В 1940 году окончил МГУ.

В 1940—1962 годах работал в Физическом институте им. П.Н. Лебедева АН СССР.

В 1949 году там же защитил докторскую диссертацию под руководством С.И. Вавилова.

В 1962 году — академик АН Узбекской ССР.

С 1962 года — заведующий созданного им отдела физики полупроводников Физико-технического института им. С.В. Стародубцева АН Узбекской ССР в Ташкенте.

С 1963 года — профессор Физико-технического института АН Узбекской ССР.

Автор более 200 научных работ.

Исследования посвящены физике твёрдого тела, физике полупроводников, теории экситонов, оптоэлектронике, твердотельной электронике. Был одним из основателей зонной теории люминесценции кристаллов и диэлектрической электроники. Разработал теорию безызлучательных электронных переходов в твердых телах, предсказал и открыл явление «холодной вспышки». Установил закон электронной поляризации и деполяризации фотоэлектретов, развил общую теорию фотоэлектретного состояния. Построил теорию оптронов и оптронных цепей. Открыл эффекты аномально больших фотонапряжений и аномально больших фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках. Получил точное решение задачи об эмиссионных токах в диэлектрике при термоэлектронной и автоэлектронной эмиссии из металла, разработал теорию токов, ограниченных пространственным зарядом. Показал возможность существования экситонов нового типа, что позволило раскрыть механизм быстрой низкотемпературной поляризации. Заложил основы оптоэлектроники (развил теорию оптронов и оптронных цепей, открыл эффект аномально больших фотонапряжений и фотомагнитных напряжений в полупроводниковых пленках; развил оптоэлектронные методы корреляционной обработки больших, массивов информации). Один из основателей диэлектрической электроники, решил ряд фундаментальных задач в этой области, разработал и исследовал диэлектрические диодные структуры на основе тонких высокоомных монокристаллических слоёв кремния, арсенида галлия и карбида кремния.

Был женат, имел двоих детей.

10 сентября 1973 года скончался в Ташкенте.

Труды

• Некоторые вопросы теории люминесценции кристаллов, М.-Л., 1951;
• Токи двойной инжекции в полупроводниках, М., 1978 (в соавт.);
• Фотоэлектрические явления в полупроводниках и оптоэлектроника, Ташкент, 1972 (в соавт.).