Вагиф Гусейнгулу оглы Сафаров
Вагиф Гусейнгулу оглы Сафаров (азерб. Vaqif Səfərov Hüseyngulu oğlu, р. 5 марта 1941, Шемахы[1]) — азербайджанский физик, кандидат физико-математических наук (1979), доцент. Окончил Бакинский государственный университет. Основные области исследований электрохимическое осаждение раствора методом A2B6 тип полупроводников на тонкие слои, и приготовление на на их основе высокоэффективных структур, имеющих различные назначения. 90 научных статей и 9 авторских патентов[2].Автор учебников по основам нанотехнологии для высших учебных учреждений.
E-mail: [email protected]
Биография[3][править]
Родился 5 марта 1941-года, в городе Шемаха Азербайджанской Республики. Состоит в браке, имеет 2 детей, азербайджанец, проживает в городе Баку.
Образование, научные степени[править]
В 1958—1963 Бакинский Государственный Университет, Физический факультет, по специальности-физика (студент), 1969—1972, Бакинский Государственный Университет, факультет Физики, кафедра полупроводниковой физики, аспирант кафедры. Бакинский Государственный Университет, факультет Физики, кафедра физической электроники, доцент кафедры
Исследования: оптические и фотоэлектрические свойства исследование оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов, полученных при низкой и высокой возбудимости халькогенидов галлия, висмута, иттербия. Исследование оптических и фотоэлектрических процессов в монокристаллах твердых тел на основе A3B6, A2B6 и подготовка различных типов высокоэффективных тонких слоев полупроводников A2B6 и их высокоэффективных структур методом пайко-электрохимического осаждения
Трудовая деятельность[править]
1967—1969 БГУ, кафедра молекулярной физики, инженер
1969—1972 БГУ аспирант кафедры физики полупроводников 1972—1982 БГУ ,заведующий лабораторией кафедры физической электроники
1982—1984 БГУ ассистент кафедры физической электроники 1984—1990 БГУ , старший преподаватель кафедры физической электроники
1990 — по сей день БГУ, доцент кафедры физической электроники
Какие классы ведет:
Общей физика, радиофизика, материалы электронной техники, физика твердых тел, материаловедение, основы микро — и наноэлектроники (автор 90 научных статей и 9 патeнтов) .
Международные семинары, симпозиумы и конференции[править]
2006 — TRE-063 International Conference on "Technical and Physical and Physical Problems in Power Engineering (Турция) 2008 — Актуальные проблемы физики, V Международная научно технической конференция (Баку)
Область исследования[править]
Оптические и фотоэлектрические свойства исследование оптических и фотоэлектрических свойств твердых растворов, полученных при низкой и высокой возбудимости халькогенидов галлия, висмута, иттербия.
Избранные произведения[править]
1. Фотоэлектрические свойства кристалла CaGa2Se4 сборник новостей 4, стр. 125, 2003.
2. Теплопроводность стекловидного слияния системы As2Se3-As2Te3. Новости Бакинского Университета. № 2. с.130-135, 2008.
3. Эффект скрепления тонких пластин n-CdZnSSe Журнал Физика. XIV, б.3, с.107-108, 2008.
4. Реконбинированное излучения сульфида галлия при двухфотонном возбуждении ФТП. т.6, стр.2258, 1972.
5. Измерение двухфотонного поглощения GaSx Se1-x-i. ФТП т. II, в. I , стр.132, 1977.
6. Фотопроводимость и оптическое поглощение в твердых растворах (GaS)1-x (Bi2S3)x (x=0,005 0,03) ФТП т.9, стр.1840, 1978.
7. Ультразвуковая переработка элементов солнечного излучения. «Гелиотехника», № 2, стр.17-21, 2006.
8. Материалы электронной техники и основы нанотехнологий. Учебник для высших учебных заведений, 2010 год.
9. Двухфотонное поглощение излучения неодимого лазера в тонких пленках ZnSxSe1-x, Bakı Universitetinin xəbərləri, № 3, 2011 il.
10. Солнечные фото-преобразователи с продолжительным сроком службы, XVI-той Международной конференции (Ульяновск, 2013).
11. Establishment of electric field after sudden current modification in a positive column of a heilum discharge, 10 th International Conference on «Technical and Physical Problems of Elecrical Engineering», 7-8 september 2014 (Bakı, Azerbaijan).
12. Зависимость эффективности солнечных элементов на основе P-N перехода из аморфного металлического сплава от высоты барьера P-N перехода,Bakı Universitetinin xəbərləri, № 3, 2015 il.
13. ФРЭЭ и скачок потенциала в двойном слое дугового разряда в гелии,Enerqetikanın problemləri, Bakı 2016.
14. Определение вольт-амперных характеристик аргоновой плазмы с помощью следящего зонда, Известия высших учебных заведений, Физика 2017 (Томский государственный университет, Россия).
Источники[править]
- ↑ http://shamakhi-encyclopedia.az/s%C9%99f%C9%99rov-vaqif-huseynqulu-oglu/.
- ↑ Патенты автора САФАРОВ ВАГИФ ГУСЕЙНГУЛУ ОГЛЫ. www.findpatent.ru. Проверено 8 июня 2016.
- ↑ Adil Aliyev Baku State University. physics.bsu.edu.az. Проверено 8 июня 2016.