Вадим Львович Гуревич

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Вадим Львович Гуревич

Научный деятель
Gurevich vl1.jpg
Дата рождения
4 июня 1934 года
Место рождения
Ленинград, СССР









Награды и премии
Государственная премия СССР — 1974


Вадим Львович Гуревич — советский и российский физик, специалист по физике конденсированного состояния, основатель направления и научной школы физической кинетики фононных и электронных макро- и микросистем, член-корреспондент РАН, доктор физико-математических наук, профессор[1].

Карьера[править]

Вадим Гуревич родился 4 июня 1934 года в Ленинграде. Его отец — Лев Эммануилович Гуревич.

В 1956 году окончил физический факультет Ленинградского государственного университета.

С 1956 года работал в Институте полупроводников АН СССР.

В 1960 году — кандидат физико-математических наук.

В 1961 году совместно с Ю.А. Фирсовым и М.И. Клингером предсказал резонансное поглощение электрической, световой и акустической энергии в сильном магнитном поле, обусловленное взаимодействием электронов с фотонами: магнитофононный резонанс.

В начале 1960-х годов И. А. Викторов, Ю. А. Гуляев, В.Л. Гуревич и В.И. Пустовойт установили эффект усиления ультразвуковых волн в полупроводниках и слоистых структурах полупроводник — диэлектрик при дрейфе через них носителей тока, на основе которого были созданы различные акусто-электронные приборы.

В 1965 году — доктор физико-математических наук.

В 1971 году — профессор.

С 1972 года (в результате объединения Института полупроводников и Физико-технического института) работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе АН СССР), ныне Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН. Заведующий сектором физической кинетики (с 1971 года).

В 1974 году — лауреат Государственной премии СССР — за цикл исследований по созданию теоретических основ акустоэлектроники.

В 1984—1991 годах — профессор Ленинградского политехнического института.

В 2000 году был избран членом-корреспондентом РАН.

Установил эффект усиления ультразвуковых волн в полупроводниках и слоистых структурах полупроводник-диэлектрик при дрейфе через них носителей тока, на основе которого были созданы различные акусто-электронные приборы. Вместе с коллегами предсказал резонансное поглощение электрической, световой и акустической энергии в сильном магнитном поле, магнетофононный резонанс (совместно с В.Г. Скобовым и Ю.А. Фирсовым), предсказал гигантские осцилляции поглощения ультразвука в металлах в магнитном поле и создал теории этих эффектов.

Источники[править]

  1. Википедия