Давид Израйлевич Вайсбурд

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Давид Израйлевич (Израилевич) Вайсбурд

Вайсбурд Давид Израйлевич.png
Дата рождения
23 декабря 1937 года
Место рождения
Киев, СССР
Дата смерти
11 апреля 2007 года
Место смерти
Израиль





Учёное звание
профессор



Награды и премии

Юбилейная медаль «За доблестный труд (За воинскую доблесть). В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина»Honoured Higher education employee of the Russian Federation.png


Давид Израйлевич Вайсбурд — деятель науки и техники[1]

Карьера[править]

Учился в КПИ, позже перевёлся в ТПИ, закончив который в 1961 стал ассистентом кафедры «Экспериментальной физики».

В 1961—1964 учился в аспирантуре.

В 1965 — к.ф.-м.н.[2]

В 1969—1970 создал при кафедре НИЛНФ.

В 1985 — д.ф.-м.н.[3]

В 1987 — профессор.

Его вклад в науку Википедия описывает следующим образом:

Автор более 150 трудов, 13 авторских свидетельств и 1 патента.
В обширной научной деятельности учёного важное место заняло конструирование изготовление и запуск в работу первой в Томске установки ядерного магнитного резонанса. Параллельно он выполнил первые в мировой науке эксперименты по кинетике накопления простых и сложных электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов и альфа-частиц. Эксперименты проводились на циклотроне НИИ ядерной физики при ТПИ. Впервые Вайсбурд обнаружил сильное влияние трековых эффектов на превращение простых дефектов в сложные, построил теорию и определил параметры треков протонов и альфа-частиц в щелочно-галоидных кристаллах.

Источники[править]

  1. Википедия
  2. Защитил кандидатскую диссертацию на тему «Кинетика накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов».
  3. Защитил докторскую диссертацию на тему «Свойства ионных кристаллов при высоких уровнях ионизации».