Циклопедия скорбит по жертвам террористического акта в Крокус-Сити (Красногорск, МО)

Зираддин Ягуб оглы Садыгов

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Садыгов Зираддин Ягуб оглы

Sadygov.jpg



Дата рождения
20 марта 1954 года
Место рождения
Тауз, Азербайджанская ССР, СССР


Гражданство
Союз Советских Социалистических Республик СССРРоссийская Федерация Россия


Род деятельности
Физик-ядерщик









Садыгов Зираддин (Заир) Ягуб-оглы — советский и российский физик-ядерщик.

Уроженец села Алакол Таузского района Азербайджанской ССР, родился 20-го марта 1954 года. После окончания средней школы в родном селе он в 1972 году поступил на Физический факультет Азербайджанского государственного университета, а в 1975 году по конкурсу был переведен на «Специальный факультет» МИФИ. После окончания МИФИ по специальности «Физика твердого тела» в 1978 году он поступил в целевую аспирантуру.

В 1982 году Садыгов З. Я. защитил кандидатскую диссертацию в Физическом Институте АН СССР по теме «Физические процессы в многослойных элементах памяти металл — нитрид кремния — окисел кремния — полупроводник».

С 1982 по 1993 год Садыгов З. Я. работал в должности научного сотрудника, начальника сектора  «Полупроводниковые фотоприемники» Отдела глубоководного детектирования нейтрино ИЯИ РАН. Здесь под его руководством была начата разработка нового лавинного фотоприемника на основе многослойных кремниевых структур. К 1990 году он совместно с соавторами разработал и изготовил первый микропиксельный лавинный фотоприемник на основе структуры Si-SiC-Ti, называемый тогда лавинным МРП (металл-резистивный слой-полупроводник) фотоприемником. По своим рабочим параметрам, таким как коэффициент усиления (выше 10000), рабочая площадь (до 25 мм2) и др. МРП фотоприемники значительно превосходили мировые аналоги  (см. Письма в ЖТФ, 1990, т.6, в.1, с.14-17).

С 1994 по настоящее время Садыгов З. Я. работает в ЛФВЭ ОИЯИ. В 1996 году им разработана конструкция первого микропиксельного лавинного фотодиода (МЛФД) —   твердотельного фотоумножителя (см. З. Я. Садыгов, Патент России № 2102820 от 20.01.98, приоритет от 10.10.1996). Эти приборы часто называют кремниевыми фотоумножителями (по-английски SiPM) или микпиксельными счетчиками фотонов (по-английски MPPC — micro pixel photon counter).

В последние годы Садыговым З. Я. разработаны и реализованы еще две новых конструкции МЛФД для различных применений. В настоящее время проводится оптимизация их параметров для применения в различных физических экспериментах.

Публикации[править]

1. З. Я. Садыгов. О кинетике формирования фотоотклика в лавинных МДП- структурах.- Препринт ИЯИ АН России, П-0434, 1985.

2. З. Я. Садыгов. Фотоотклик лавинный МДП-структуры.- Материалы Всесоюзного совещания по ФИЛ-приборам, Суздаль, 1986, с.9.

3. М. Г. Акопян, А. Г. Гасанов, С. М. Савранский, З. Я. Садыгов.

4. К теории импульсного лавинного процесса в МДП-структурах.- Препринт ИЯИ АН России, П-0557, 1987.

5. И. М. Железных, З. Я. Садыгов. Фотоэлектронный умножитель. Авторское свидетельство России  N 1251748  от  15 апреля 1986 г.,  приоритет от  10 августа 1984 г.

6. И. М. Железных, А. Ф. Плотников, З. Я. Садыгов, В. Э. Шубин. Полупроводниковые фотоприемники и проект экспериментов по глубоководному детектированию мюонов и нейтрино.- Краткие сообщения по физике ФИАН России, 1984, N5, с.19-22.

7. С. Я. Алейников, З. Я. Садыгов и  др. О возможности работы лавинных МДП- фотоприемников и других полупроводниковых элементов ядерно-физической аппаратуры  в глубоководных  условиях.- Краткие  сообщения по физике ФИАН России, 1984, N5, с.23-25.

8. Гасанов А. Г., Садыгов З. Я. О нестабильности коэффициента усиления фототока в  лавинной  МДП-структуре — Материалы Всесоюзного совещания  по лавинным ФИЛ-приборам, Суздаль, 1986,  с.26.

9. З. Я. Садыгов, Т. В. Жежер. Влияние растекания заряда вдоль поверхности полупроводника на характер коэффициента умножения в структуре кремний-широкозонный слой.- Письма в ЖТФ, 1997, т.23, в.8, с.72-76.

10. В. М. Головин, З. Я. Садыгов, М. Л. Тарасов, Н. Ю. Юсипов. Лавинный фотоприемник.- Патент России  N 1644708 от 7 июня  1995 г., приоритет от 3 февраля 1989 г.

11. А. Г. Гасанов, В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Влияние локальных неоднородностей в полупроводниковой подложке на характеристики лавинных фотоприемников.- Письма в ЖТФ, 1990, т.6, в.1, с.14-17.

12. А. Г. Гасанов, В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Лавинный фотоприемник на основе структуры металл-резистивный  слой-полупроводник.- Письма в ЖТФ, 1988, т.14, в.8, с.706-709.

13. А. Г. Гасанов, В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Фотоприемник с внутренним усилением на основе структуры  кремний-карбид кремния-металл —    Микроэлектроника, 1989, т.18, с.88-90.

14. В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Новые  лавинные МРП-фотоприемники.- Материалы Всесоюзной  Конференции «Проблемы оптической памяти», Москва, 1990, с.224.

15. А. Г. Гасанов, В. М. Головин, В. Г. Летягин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Особенности  усиления фототока  в лавинных МРП-структурах.- Препринт  ИЯИ АН России, П-0673, 1990.

16. В.Летягин, З. Я. Садыгов. Модель формирования импульсного фототока в лавинном МРП-фотоприемнике.- Труды  Всесоюзной конференции «Проблемы  оптической памяти»,  Москва, 1990, с.203-204.

17. Z.Y.Sadygov, I.M.Zheleznykh, N.A.Malakhov, V.N.Jejer and T.A.Kirillova. Avalanche Semiconductor Radiation Detectors.- IEEE  Trans. Nucl. Sci., 43, 3, (1996), p.1009-1013.

18. З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов, Ю. С. Винокуров, Э. Х. Гуланян.- Многоканальная линейка лавинных фотодиодов для голографической системы памяти.- Труды Всесоюзной конференции «Проблемы оптической памяти», Москва, 1990, с.236-238.

19. Z.Ya.Sadygov, A.G.Gasanov, N.Y.Yusipov,  V.M.Golovin, E.N.Gulanian, Y.S.Vinokurov, A.V.Simonov. The investigation of possibility to create the   multichannel photodiode  based on the avalanche MRS-structure.-Proc. Int. Conf., The International Society for Optical Engineering, Zvenigorod, Russia, April 2-6. SPIE, 1991, v.1621, p.158-164.

20. Z.Y.Sadygov, I.M.Zheleznykh,  T.A.Kirillova. Novel light quantum and nuclear particle  detectors based on the avalanche metal-resistivity layer-semiconductor structure.- Applied Surface Science, 92, (1995), p.575-578.

21. Z.Y.Sadygov, I.M.Zheleznykh, A.E.Luk’yanov, A.Yu.Morozov. SEM investigation of avalanche matrix photodetector.- Proc. IX Russian Symposium  on   Scanning electron microscopy and analytical methods of solids investigations. Chernogolovka, Russia,  May 22-24, 1995, p.31-33.

22. В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Умножитель электронов.- Авторское  свидетельство России  № 1655258  от 8  февраля 1991 г., приоритет от 3 октября 1989 г.

23. А. Г. Гасанов, В. М. Головин, З. Я. Садыгов, Н. Ю. Юсипов. Лавинный фотопремник.- Авторское  свидетельство России  № 1702831 от 1 сентября 1991 г., приоритет от 11 октября 1989 г.

24. D.Bisello, Yu.Gotra, V.Jejer V.Kushpil, N.Malakhov, A.Paccagnella, D.Pantano, Z.Sadygov. Metal-Resistive layer-Silicon (MRS) avalanche detectors with negative   feedback.- NIM, 1995, А 360 , p.83-86.

25. D.Bisello, Yu.Gotra, V.Jejer, V.Kushpil, N.Malakhov, A.Paccagnella, D.Pantano, Z.Sadygov. Electrical characteristics of Metal-Resistive layer-Silicon (MRS) avalanche detectors.- Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 1995, 44, p.397-401.

26. S.Afanasiev, Yu.Anisimov, Yu.Gotra, V.Jejer, V.Kolesnikov, V.Kushpil, A.Malakhov, N.Malakhov, S.Reznikov, G.Sokol, Z.Sadygov,  E.Tsyganov. MRS    Silicon Avalanche  Detectors  with Negative Feedback for Time-Of-Flight Systems.- Nuclear Physics B (Proc. Suppl.), 1995, 44, p.402-405.

27. D.Bisello, Yu.Gotra, V.Jejer, V.Kushpil, N.Malakhov, A.Paccagnella, Z.Sadygov, I.Stavitsky, E.Tsyganov. Silicon Avalanche  Detectors with Negative Feedback as Detectors for High Energy Physics.- NIM, 1995, A 367, p.212-214.

28. Bacchetta N., Bisello D., Gotra Yu., Jejer V., Malakhov N., Paccagnella A., Pantano D. and  Sadygov Z. New type of metal-resistive layer-silicon avalanche detectors for visible and UV light detection.- NIM, 1996, A 383, p.263-265.

29. З. Я. Садыгов. Лавинный фотоприемник. Патент Российской Федеpации, МКИ  H 01 L 31/06, N 2086047, приоритет  от 30.05.96г.

Авторские свидетельства и патенты[править]

  1. И.М.Железных,  З.Я.Садыгов. Фотоэлектронный умножитель. - Авторское свидетельство СССР №1251748 от 15.04.1986 г., приоритет от 10.08.1984 г.
  2. В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Умножитель электронов. - Авторское  свидетельство СССР 1655258 от 08.02.1991 г., приоритет от 03.10.1986 г.
  3. А.Г.Гасанов, В.М.Головин, З.Я.Садыгов, Н.Ю.Юсипов. Лавинный фотоприемник. - Авторское  свидетельство  СССР №1702831 от 01.09.1991 г., приоритет от 11.10.1989 г.
  4. В.М.Головин, З.Я.Садыгов, М.Л.Тарасов, Н.Ю.Юсипов. Лавинный фотоприемник.- Патент России №1644708 от 07.06.1995 г., приоритет от 03.02.1989 г.
  5. З.Я.Садыгов, Патент России №2102820. Лавинный детектор, приоритет от 10.10.1996.
  6. З.Я.Садыгов, Патент России №2102821. Лавинный фотодиод, приоритет от 10.10.1996.
  7. З.Я.Садыгов, Патент России №2086027, Лавинный фотоприемник, приоритет от 30.05.1996.
  8. З.Я.Садыгов, и др. Патент России №2212733. Полупроводниковый микроканальный лавинный детектор с внутренним усилением сигнала, приоритет от 22.03.2002.
  9. З.Я.Садыгов, Патент России №2294035. Лавинный фотодиод, приоритет от 24.03.2005.
  10. З.Я.Садыгов, Патент России №2316848. Микроканальный лавинный фотодиод, приоритет 01.06.2006.

Ссылки[править]