Циклопедия скорбит по жертвам террористического акта в Крокус-Сити (Красногорск, МО)

Эммануил Иосифович Рашба

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Эммануил Иосифович Рашба

Emrashba large.jpg
Дата рождения
30 октября 1927 года
Место рождения
Киев, СССР









Награды и премии
Ленинская премия — 1966


Эммануил Иосифович Рашба (Еммануїл Йосипович Рашба, Emmanuel Rashba) — советский и американский физик-теоретик, доктор физико-математических наук, профессор, член Американского физического общества[1].

Карьера[править]

Эммануил Рашба родился 30 октября 1927 года в Киеве.

В 1949 году окончил физический факультет Киевского государственного университета.

В 1949—1954 годах — инженер, учитель в школе.

В 1954—1960 годах — научный сотрудник в Институте физики АН Украинской ССР.

В 1956 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Теория сильного взаимодействия электронных возбуждений с колебаниями решетки в молекулярных кристаллах».

В 1960—1966 годах — заведующий отделом в Институте полупроводников АН Украинской ССР.

В 1964 году — доктор физико-математических наук.

В 1966 году — лауреат Ленинской премии за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах.

В 1966—1992 годах — заведующий теоретическим отделением отдела полупроводников Института теоретической физики имени Л. Д. Ландау.

В 1967—1991 годах — профессор МФТИ.

В 1987 году — лауреат Премии имени А. Ф. Иоффе (совместно с Григорием Езекиелевичем Пикусом) — за серию работ «Симметрия и новые электронные явления в полупроводниках».

В 1991 году эмигрировал в Соединённые Штаты.

В 1992—1999 годах работал в городском колледже Нью-Йорка и в Университете штата Юта.

В 2000—2003 годах — профессор Дартмутского колледжа.

В 2000—2004 годах работал в MIT.

В 2001—2004 годах работал в Университете штата Нью-Йорк в Буффало.

В 2004—2015 годах — профессор Гарвардского университета.

В 2007—2010 годах — резерфордовский профессор Университета в Лафборо в Великобритании.

Автор более 80 научных публикаций.

Исследования по феноменологической теории полупроводников и полупроводниковых приборов, резонансным свойствам полупроводников, оптическим свойствам молекулярных кристаллов. Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем, установил возможность существования нового Типа зонной структуры полупроводников. Работы по спектроскопии молекулярных кристаллов.

Вместе с К. Б. Толпыго развивал теорию переноса носителей тока в полупроводниках. Одним и важных результатов, полученных в этих работах, было построение вольтамперной характериститки выпрямляющих диодов и p-n-переходов в пределе больших смещений (ток пропорционален квадрату приложенного напряжения — «закон Рашбы-Толпыго-Носаря»).

Занимался теоретическим изучением экситонов.

Построил теорию слабо связанных локализованных экситонов.

Предсказал резонансный эффект, состоящий в возбуждении спиновых переходов ВЧ электрическим полем («эффект Рашбы»).

Первооткрыватель эффекта Рашбы — снятия вырождения по спину в твёрдых телах (в частности, гетероструктурах) благодаря сильному спин-орбитальному взаимодействию.

Работы по спин-орбитальному взаимодействию оказали значительное влияние на развитие физики полупроводников и гетероструктур, а его основная статья является одной из самых цитируемых до настоящего времени.

Установил возможность существования нового типа зонной структуры полупроводников.

С сотрудниками предсказал размерные эффекты, связанные с рекомбинационной длиной в биполярных материалах, с междолинной релаксационной длиной в многодолинных полупроводниках, с длиной остывания носителей разогретых электрическим полем и пр., например, электрический пинч-эффект а анизотропных материалах — контролируемое полем накопление электронов и дырок у одной из поверхностей полупроводника.

В последнее время занимался вопросами спинтроники ифизики наносистем.

Источники[править]

  1. Российская Еврейская Энциклопедия