Леонид Вениаминович Келдыш

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Леонид Вениаминович Келдыш

217-0028.jpg
Дата рождения 7 апреля 1931 года
Место рождения Москва, СССР
Дата смерти 11 ноября 2016 года
Место смерти Москва, РФ









Награды и премии Ленинская премия — 1974Премия Президента Российской Федерации — 2003
Орден Октябрьской Революции — 1985Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степениОрден Трудового Красного Знамени  — 1975



Леонид Вениаминович Келдыш — советский и российский физик-теоретик, специалист в области физики твёрдого тела, академик АН СССР, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, советник Президиума РАН, председатель Национального комитета российских физиков[1].

[править] Карьера

Леонид Келдыш родился 7 апреля 1931 года в Москве. Его отец — доктор физико-математических наук Вениамин Львович Грановский, еврей. Мать — математик Людмила Всеволодовна Келдыш, сестра М.В. Келдыша.

Окончил школу с золотой медалью.

В 1954 году окончил физический факультет МГУ.

Затем стал аспирантом теоретического отдела Физического института им. П. Н. Лебедева (ФИАН), его научным руководителем был Виталий Лазаревич Гинзбург.

С 1957 года и до конца жизни работал в теоретическом отделе ФИАН, а в 1989—1994 годах — директор этого института.

В 1962 году стал профессором МФТИ, в 1965 году — профессором МГУ, в 1978—2001 годах — заведующий кафедрой квантовой радиофизики физического факультета МГУ.

В 1965 году — доктор физико-математических наук.

В 1968 году был избран членом-корреспондентом АН СССР.

В 1974 году — лауреат Ленинской премии.

В 1976 году был избран действительным членом АН СССР.

В 1991—1996 годах — академик-секретарь Отделения общей физики и астрономии РАН, затем — советником Президиума РАН и председателем Национального комитета российских физиков.

В 1995 году — иностранный член Национальной академии наук США.

В 1996 году — член Американского физического общества.

В 2001 году — почётный член Академии наук Молдавии.

В 2004—2011 годах часть времени проводил на факультете физики и астрономии Техасского университета A&M.

С 29 декабря 2009 года до конца жизни — главный редактор журнала «Успехи физических наук».

Награды: Золотая медаль имени С. И. Вавилова РАН (2005) — за цикл работ «Создание современных методов описания неравновесных состояний в теории конденсированных сред», Международная премия в области нанотехнологий (RUSNANOPRIZE) (2009) — за пионерские исследования сверхрешёток и туннельных эффектов в полупроводниках, Премия имени И. Я. Померанчука (2014), Большая золотая медаль имени М. В. Ломоносова (2015).

Автор более 200 научных работ.

Основные исследования по квантовой теории систем многих частиц, физики твёрдого тела, физики полупроводников, квантовой радиофизики.

Во 2-й половине 1950-х годов он построил систематическую теорию туннельных явлений в полупроводниках, в 1957 году впервые провел корректный расчет вероятности туннельного перехода с учетом зонной структуры материала и предсказал так называемый непрямой туннельный эффект, протекающий с участием фононов, а в 1958 году предсказал эффект сдвига полос поглощения в полупроводниковых кристаллах под влиянием электрического поля (эффект Франца — Келдыша). Эти результаты оказались чрезвычайно важными для развития спектроскопии полупроводников. В 1962 году предложил использовать пространственно-периодические поля (сверхрешетки) для управления электронным спектром и электронными свойствами кристаллов; позже сверхрешётки стали основой многих оптоэлектронных устройств.

В 1964 году показал, что многоквантовый фотоэффект и высокочастотный туннельный эффект являются различными предельными случаями одного и того же процесса: так называемый параметр Келдыша определяет границу между многофотонным и туннельным режимами. Келдыш построил общую теорию этих явлений, заложив основу нового направления — физики взаимодействия интенсивного лазерного излучения с веществом.

В 1964 году для теоретического описания состояний и кинетики сильно неравновесных квантовых систем разработал специальную диаграммную технику. Этот подход, являющаяся обобщением фейнмановских диаграмм на неравновесные процессы и известный также как формализм Швингера — Келдыша, широко используется в различных разделах физики, в частности при описании взаимодействия конденсированных систем с лазерным излучением.

Также в 1964 году вместе с Ю. В. Копаевым предложил известную модель фазового перехода металл-полупроводник, известную как «экситонный диэлектрик».

В 1968 году вместе с А.Н. Козловым предсказал бозе-эйнштейновскую конденсацию экситонов, а также показал, что неравновесные экситоны в сильно возбуждённом полупроводнике должны формировать электронно-дырочные капли.

Предсказал конденсацию экс-итонов с образованием электронно-дырочных капель. Предсказал новый тип коллективных возбуждений — фоноритон (связанное состояние поляритона и фонона).

В ряде работ исследовал явления, связанные с глубоко лежащими уровнями в полупроводниках, ударной ионизацией, «фононным ветром» и пр.

11 ноября 2016 года скончался в Москве.

[править] Труды

  • Келдыш Л.В. О поведении неметаллических кристаллов в сильных электрических полях // ЖЭТФ. — 1957. — Т. 33. — С. 994—1003.
  • Келдыш Л.В. О влиянии сильного электрического поля на оптические характеристики непроводящих кристаллов // ЖЭТФ. — 1958. — Т. 34. — С. 1138—1141.
  • Келдыш Л.В. Кинетическая теория ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. — 1959. — Т. 37. — С. 713—727.
  • Келдыш Л.В. О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла // Физика твердого тела. — 1962. — Т. 4. — С. 2265—2267.
  • Келдыш Л.В. Глубокие уровни в полупроводниках // ЖЭТФ. — 1963. — Т. 45. — С. 364—375.
  • Келдыш Л.В. Диаграммная техника для неравновесных процессов // ЖЭТФ. — 1964. — Т. 47. — С. 1515—1527.
  • Келдыш Л.В. Ионизация в поле сильной электромагнитной волны // ЖЭТФ. — 1964. — Т. 47. — С. 1945—1957.
  • Келдыш Л.В., Копаев Ю.В. Возможная неустойчивость полуметаллического состояния относительно кулоновского взаимодействия // Физика твердого тела. — 1964. — Т. 6. — С. 2791—2803.
  • Келдыш Л.В. К теории ударной ионизации в полупроводниках // ЖЭТФ. — 1965. — Т. 48. — С. 1692—1707.
  • Келдыш Л.В., Козлов А.Н. Коллективные свойства экситонов в полупроводниках // ЖЭТФ. — 1968. — Т. 54. — С. 978—993.
  • Келдыш Л.В. Фононный ветер и размеры электронно-дырочных капель в полупроводниках // Письма в ЖЭТФ. — 1976. — Т. 23. — С. 100—103.
  • Келдыш Л.В. Кулоновское взаимодействие в тонких пленках полупроводников и полуметаллов // Письма в ЖЭТФ. — 1979. — Т. 29. — С. 716—719.
  • Ильинский Ю.А., Келдыш Л.В. Взаимодействие электромагнитного излучения с веществом. — М.: Изд-во МГУ, 1989.
  • Ivanov A.L., Haug H., Keldysh L.V. Optics of excitonic molecules in semiconductors and semiconductor microstructures // Physics Reports. — 1998. — Vol. 296. — P. 237—336.

[править] Источники

  1. Российская Еврейская Энциклопедия
Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты