Александр Александрович Каплянский

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Александр Александрович Каплянский

Image2Каплянский.JPG
Дата рождения 14 декабря 1930 года
Место рождения Ленинград, СССР










Награды и премии Ленинская премия — 1966Государственная премия СССР — 1975
Орден Почёта — 1999Орден Дружбы — 2010



Александр Александрович Каплянский — советский и российский физик, член-корреспондент АН СССР, академик РАН, заведующий лабораторией Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, заведующий филиалом кафедры физики твёрдого тела физического факультета в ЛФТИ, профессор Санкт-Петербургского государственного университета, доктор физико-математических наук, главный редактор журнала «Физика твёрдого тела», член редколлегии журнала «Успехи физических наук», член Санкт-Петербургского научного центра РАН[1].

[править] Карьера

Александр Каплянский родился 14 декабря 1930 года в Ленинграде.

В 1953 году окончил физический факультет Ленинградского государственного университета.

После университета был принят в аспирантуру в Ленинградский физико-технический институт.

В 1957 году под руководством Е. Ф. Гросса защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую проблеме обнаружения и исследования линейчатой структуры края фундаментального поглощения полупроводников, связанной с оптическим возбуждением экситонов.

В конце 1950-х годов стал изучать спектры легированных примесными ионами диэлектрических кристаллов.

В 1958 году обнаружил обратимое расщепление спектральных линий примесных центров в кристаллах при упругой направленной деформации кристаллов («расщепление Каплянского»).

В 1960 году экспериментально обнаружил явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса в спектре кристаллов закиси меди.

Выполнил пионерские работы в области пьезооптики полупроводников.

Создал пьезоспектроскопический метод определения локальной симметрии примесных центров и точечных дефектов в кристаллах, широко используемого ныне в мировой практике.

В 1966 году — лауреат Ленинской премии — за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах.

В 1967 году защитил докторскую диссертацию по теме «Пьезоспектроскопия кристаллов».

В 1973 году вместе с Ю. Ф. Марковым открыл новый класс сегнетоэластиков (галогениды одновалентной ртути), обладающих уникальной высокой анизотропией упругих и оптических свойств.

Установил механизм сегнетоэластического фазового перехода и обнаружил новые спектроскопические проявления динамики решеток с мягкими модами, которые сделали галогениды ртути модельными объектами для спектроскопического изучения общих свойств структурных фазовых переходов в кристаллах.

В 1975 году — лауреат Государственной премии СССР — за цикл работ по созданию нового оптического метода исследования сложных примесных центров и дефектов в кристаллах (1953—1972).

В 1983 году совместно с С. А. Басуном и С. П. Феофиловым обнаружили новое фотоэлектрическое явление в примесных диэлектриках — спонтанное образование под действием света устойчивых доменов сильного (10 5 —10 6 В/см) электрического поля противоположного знака в кристаллах концентрированного рубина.

В 1990-е годы с сотрудниками провёл исследования разнообразных явлений, связанных с фотоионизацией примесей и фотопереносом заряда в диэлектриках, сегнетоэлектриках и фоторефрактивных кристаллах. Например, Каплянский с сотрудниками в содружестве с Университетом штата Джорджия установил основные микропроцессы, определяющие свойства фотохимического (фотоионизационного) выжигания узких провалов («дыр») в неоднородно-уширенном контуре спектральных линий примесных ионов.

С 1995 года развивает новое направление, связанное с изучением пространственно-структурированных диэлектрических материалов, что позволило спектроскопически наблюдать ряд важных общих для наночастиц эффектов, в том числе размерное квантование акустических колебаний нанокристаллов (моды Лэмба).

В 2008 году — лауреат премии им. А. Ф. Иоффе — за цикл работ «Спектроскопические исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах».

В 2013 году — лауреат премия имени Д. С. Рождественского (совместно с А. К. Пржевуским, С. П. Феофиловым) — за цикл работ «Спектроскопические исследования структуры примесных центров и электронных процессов в диэлектриках, содержащих ионы редких земель и переходных металлов».

Заведующий лабораторией спектроскопии твёрдого тела Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.

Работы в области оптической спектроскопии твердого тела, исследований полупроводников и диэлектриков. Имеет более 3000 цитирований на работы, опубликованные после 1975 года. Индекс Хирша — 32.

Женат, имеет дочь.

[править] Источники

  1. Российская Еврейская Энциклопедия
Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты