Александр Александрович Каплянский
Александр Александрович Каплянский — советский и российский физик, член-корреспондент АН СССР, академик РАН, заведующий лабораторией Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН, заведующий филиалом кафедры физики твёрдого тела физического факультета в ЛФТИ, профессор Санкт-Петербургского государственного университета, доктор физико-математических наук, главный редактор журнала «Физика твёрдого тела», член редколлегии журнала «Успехи физических наук», член Санкт-Петербургского научного центра РАН[1].
Карьера[править]
Александр Каплянский родился 14 декабря 1930 года в Ленинграде.
В 1953 году окончил физический факультет Ленинградского государственного университета.
После университета был принят в аспирантуру в Ленинградский физико-технический институт.
В 1957 году под руководством Е. Ф. Гросса защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую проблеме обнаружения и исследования линейчатой структуры края фундаментального поглощения полупроводников, связанной с оптическим возбуждением экситонов.
В конце 1950-х годов стал изучать спектры легированных примесными ионами диэлектрических кристаллов.
В 1958 году обнаружил обратимое расщепление спектральных линий примесных центров в кристаллах при упругой направленной деформации кристаллов («расщепление Каплянского»).
В 1960 году экспериментально обнаружил явление оптической анизотропии кубических кристаллов в области экситонного резонанса в спектре кристаллов закиси меди.
Выполнил пионерские работы в области пьезооптики полупроводников.
Создал пьезоспектроскопический метод определения локальной симметрии примесных центров и точечных дефектов в кристаллах, широко используемого ныне в мировой практике.
В 1966 году — лауреат Ленинской премии — за теоретические и экспериментальные исследования экситонов в кристаллах.
В 1967 году защитил докторскую диссертацию по теме «Пьезоспектроскопия кристаллов».
В 1973 году вместе с Ю. Ф. Марковым открыл новый класс сегнетоэластиков (галогениды одновалентной ртути), обладающих уникальной высокой анизотропией упругих и оптических свойств.
Установил механизм сегнетоэластического фазового перехода и обнаружил новые спектроскопические проявления динамики решеток с мягкими модами, которые сделали галогениды ртути модельными объектами для спектроскопического изучения общих свойств структурных фазовых переходов в кристаллах.
В 1975 году — лауреат Государственной премии СССР — за цикл работ по созданию нового оптического метода исследования сложных примесных центров и дефектов в кристаллах (1953—1972).
В 1983 году совместно с С. А. Басуном и С. П. Феофиловым обнаружили новое фотоэлектрическое явление в примесных диэлектриках — спонтанное образование под действием света устойчивых доменов сильного (10 5 —10 6 В/см) электрического поля противоположного знака в кристаллах концентрированного рубина.
В 1990-е годы с сотрудниками провёл исследования разнообразных явлений, связанных с фотоионизацией примесей и фотопереносом заряда в диэлектриках, сегнетоэлектриках и фоторефрактивных кристаллах. Например, Каплянский с сотрудниками в содружестве с Университетом штата Джорджия установил основные микропроцессы, определяющие свойства фотохимического (фотоионизационного) выжигания узких провалов («дыр») в неоднородно-уширенном контуре спектральных линий примесных ионов.
С 1995 года развивает новое направление, связанное с изучением пространственно-структурированных диэлектрических материалов, что позволило спектроскопически наблюдать ряд важных общих для наночастиц эффектов, в том числе размерное квантование акустических колебаний нанокристаллов (моды Лэмба).
В 2008 году — лауреат премии им. А. Ф. Иоффе — за цикл работ «Спектроскопические исследования фотоэлектрических явлений в кристаллах».
В 2013 году — лауреат премия имени Д. С. Рождественского (совместно с А. К. Пржевуским, С. П. Феофиловым) — за цикл работ «Спектроскопические исследования структуры примесных центров и электронных процессов в диэлектриках, содержащих ионы редких земель и переходных металлов».
Заведующий лабораторией спектроскопии твёрдого тела Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН.
Работы в области оптической спектроскопии твердого тела, исследований полупроводников и диэлектриков. Имеет более 3000 цитирований на работы, опубликованные после 1975 года. Индекс Хирша — 32.
Женат, имеет дочь.
Источники[править]
- ↑ Российская Еврейская Энциклопедия
- Родившиеся 14 декабря
- Родившиеся в 1930 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в Санкт-Петербурге
- Лауреаты Ленинской премии
- Лауреаты Государственной премии СССР
- Кавалеры ордена Почёта
- Кавалеры ордена Дружбы (Россия)
- Учёные по алфавиту
- Выпускники физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета
- Преподаватели физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета
- Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе
- Главные редакторы
- Лауреаты премии имени А. Ф. Иоффе
- Лауреаты премии имени Д. С. Рождественского
- Лауреаты премии Гумбольдта
- Физики по алфавиту
- Физики СССР
- Физики России
- Физики XX века
- Физики XXI века
- Доктора физико-математических наук
- Члены-корреспонденты АН СССР
- Действительные члены РАН
- Ашкеназы
- Евреи в России
- Евреи в СССР
- Евреи-физики