Захарий Фишелевич Красильник

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Захарий Фишелевич Красильник

Красильник1.jpg
Дата рождения
2 ноября 1947 года
Место рождения
Черновцы, СССР




Научная сфера
Физика полупроводников, полупроводниковые гетероструктуры, физика наноструктур, кремниевая оптоэлектроника



Научный руководитель
Михаил Израилевич Рабинович
Известен как
физик
Награды и премии
Государственная премия СССР — 1987


Захарий Фишелевич Красильник — деятель науки[1].

Образование[править]

В 1970 закончил радиофак ГГУ по специальности радиофизик.

Карьера[править]

Затем — м.н.с. в горьковском НИРФИ.

В 1977 перешёл в ИПФ, где прошёл карьерный путь от м.н.с. / с.н.с. до замдиректора отделения физики твёрдого тела, завотделом физики полупроводников.

В 1977 — к.ф.-м.н.[2].

В 1988 — д.ф.-м.н.[3]

В 1989—2004 — старший преподаватель, профессор (1996) кафедры электроники радиофизического факультета ННГУ, завфилиалом кафедры электроники в ИФМ РАН; глава специализации «Физика твёрдого тела» ННГУ.

В 1993—2009 — замдиректора, завотделом физики полупроводников Института физики микроструктур РАН.

С 2004 — заведующий межфакультетской базовой кафедрой «Физика наноструктур и наноэлектроника» ННГУ.

С 2009 — директор ИФМ РАН.

В 2016 — ч.-к. РАН.

Характеристика научной деятельности[править]

Написал свыше полтысячи трудов.

Википедия следующим образом описывает его вклад науку и учёную деятельность:

Научные интересы лежат в области физики полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физики наноструктур и кремниевой оптоэлектроники. Автор более 230 научных статей, индексируемых WoS. Число цитирований научных работ ~ 1300.
Основные направления научных исследований З. Ф. Красильника связаны с физикой полупроводников и полупроводниковых гетероструктур, физикой наноструктур и кремниевой оптоэлектроникой. З. Ф. Красильником теоретически предсказаны взрывная неустойчивость акустоэлектронных волн, в том числе в условиях генерации гиперзвука светом при вынужденном рассеянии Мандельштама — Бриллюэна (1973 г.), комбинационное усиление звука в пьезополупроводниках в условиях черенковского резонанса при скоростях дрейфа меньших скорости звука (1976 г.). Одним из важнейших результатов научной деятельности З. Ф. Красильника явилось первое наблюдение индуцированной циклотронной неустойчивости тяжелых дырок германия. В результате, под руководством З. Ф. Красильника были созданы полупроводниковые мазеры с плавной перестройкой магнитным полем частоты генерации в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах длин волн. За цикл работ в этом направлении З. Ф. Красильнику с соавторами в 1987 году была присуждена Государственная премия СССР в области науки и техники.
По инициативе З. Ф. Красильника в ИФМ РАН были начаты работы по молекулярно-пучковой эпитаксии и исследованию оптических свойств кремний-германиевых структур и кремниевых структур, легированных эрбием. Была развита технология роста структур с самоорганизующимися кремний-германиевыми квантовыми точками. Под руководством З. Ф. Красильника коллективом исследователей ИФМ РАН и Научно-исследовательского физико-технического института ННГУ им. Н. И. Лобачевского были получены излучающие эпитаксиальные кремниевые структуры, легированные эрбием, с уникальными свойствами излучающих центров. В кремний-германиевых структурах с квантовыми точками и в многослойных наноразмерных структурах кремний-эрбий продемонстрирована эффективная электролюминесценция в важном для телекоммуникаций диапазоне длин волн вблизи 1,5 мкм. Созданы гибридные А3В5 лазеры на искусственных Ge/Si подложках.

Источники[править]

  1. Jewish Members of the Russian Academies
  2. Защитил диссертацию на соискание ученой степени по теме «Взаимодействие волн в полупроводниках с дрейфом носителей заряда».
  3. Защитил диссертацию на соискание ученой степени на тему «Инвертированные распределения и индуцированное циклотронное излучение дырок с отрицательными массами в полупроводниках».