Октябрь Васильевич Емельяненко
Октябрь Васильевич Емельяненко
- Место смерти
- Санкт-Петербург, Российская Федерация
- Научная сфера
- физик
- Учёная степень
- кандидат физико-математических наук
Октябрь Васильевич Емельяненко (7 ноября 1926 — 27 мая 2012) — советский физик, внес значительный вклад в фундаментальные исследования полупроводниковых свойств соединений AIIIBV, прокладывая дорогу к созданию первых полупроводниковых лазеров, оптоэлектроники, светодиодов, солнечных элементов, инфракрасных детекторов, других полупроводниковых приборов.
Биография[править]
Подростком пережил блокаду, был эвакуирован с младшими братьями и сестрой в Восточную Сибирь. В 1945 году в возрасте семнадцати лет был призван на Восточный фронт.
После окончания войны остался на сверхсрочной службе. Во время службы в армии заочно получил среднее и высшее образование (закончил физический факультет ЛГУ). Был принят в аспирантуру.
Кандидат физико-математических наук, с 1955 по 1989 год — сотрудник Лаборатории полупроводников Д. Н. Наследова (с 1957 года — лаборатория электронных полупроводников; с 1974 года — заведующий А. А. Рогачев).
В 1968 году на юбилейных торжествах, посвящённых 50-летию Физтеха, Ж. И. Алфёров отметил ведущую роль лаборатории Д. Н. Наследова в освоении и изучении AIIIBV, их техническом применении, в создании первых полупроводниковых лазеров и в развитии оптоэлектроники: «Вслед за открытием полупроводниковых свойств AIIIBV сотрудниками ФТИ проделана большая работа по систематическому изучению явлений, связанных с протеканием электрического тока в этих соединениях. Закономерным следствием этого факта явилось создание физических предпосылок для разработки инжекционного полупроводникового лазера и целого семейства других полупроводниковых приборов на основе соединений AIIIBV именно в ФТИ. Основная заслуга в этом принадлежит Д. Н. Наследову и его сотрудникам»[1]
Деятельность[править]
Полупроводниковые свойства соединений AIIIBV были открыты в 1950 году А. Р. Регелем и Н. А. Горюновой на примере антимонида индия.
Соединения AIIIBV в 1950-х годах изучались только в лаборатории профессора Генриха Велькера в ФРГ и лаборатории Д. Н. Наследова в Физико-техническом институте (ФТИ, Физтех) АН СССР.
Практическая и научная значимость полупроводников AIIIBV стала очевидна только через определённый период благодаря усилиям исследователей этих двух лабораторий.
Первый доклад о полупроводниковых свойствах AIIIBV в СССР был сделан в 1956 году на 1-й Всесоюзной конференции по полупроводникам. В докладе было отмечено, что в соединениях AIIIBV ни электропроводность, ни эффект Холла не зависят от температуры. В исследованиях О. В. Емельяненко[2] было установлено, что это явление — следствие сильного вырождения электронного газа, типичное для сильно легированных AIIIBV. Принципиально новые эффекты в таких материалах в дальнейшем образовали новый раздел физики — физику сильно легированных полупроводников[3].
В дальнейшем группа О. В. Емельяненко провела обширные фундаментальные исследования явлений переноса в AIIIBV. Существенные результаты получены в исследованиях примесной зоны[4][5]; в изучении перехода «металл-полупроводник».
Группе О. В. Емельяненко удалось открыть гигантское магнетосопротивление при движении носителей по примесям[6] и определить природу отрицательного (квантового) магнетосопротивления[7].
Ученики О. В. Емельяненко, сотрудники группы, аспиранты внесли заметный вклад в развитие направления. Среди них к.ф.м.н. Т. С. Лагунова, к.ф.м.н. Т. И. Воронина, к.ф.м.н. З. Ш. Овсюк, д.ф.м.н. Н. А. Урманов, д.ф.м.н. профессор Д. Д. Недеогло, д.ф.м.н. профессор Ф. П. Кесаманлы и другие.
Полученные группой О. В. Емельяненко результаты входят в современное понимание полупроводниковых свойств соединений AIIIBV (в частности, арсенида галлия); работы О. В. Емельяненко как основополагающие до настоящего времени включаются в списки литературы диссертантами и авторами вузовских курсов.
Источники[править]
- ↑ Ж. И. Алфёров, В. И. Иванов-Омский, Л.Г Парицкий, Я. Френкель. ФТП, 2 (10), 1397 (1968)
- ↑ О. В. Емельяненко, Д. Н. Наследов. ЖТФ, 28 (6), 1177 (1958).
- ↑ О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Д. Н. Наследов. ФТТ, 2 (2), 192 (1960).
- ↑ О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Д. Н. Наследов, Г. Н. Талалакин. ФТТ, 7 (5), 1315 (1965).
- ↑ Ф. П. Кесаманлы, Э. Э. Клотыньш, Т. С. Лагунова, Д. Н. Наследов. ФТТ, 6 (3), 958 (1964).
- ↑ О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, Д. Н. Наследов, Д. Д. Недеогло, И. Н. Тимченко. ФТП, 7 (10), 1919 (1973).
- ↑ Т. И. Воронина, О. В. Емельяненко, Т. С. Лагунова, З. И. Чугуева, З. Ш. Яновицкая. ФТП, 17 (10), 1841 (1983).
Ссылки[править]
- https://books.google.ru/books?id=r-WzXVaKctIC&lpg=PA468&dq=GaAs%20%20Nasledov%20Emel’yanenko&hl=ru&pg=PA468#v=onepage&q=GaAs%20%20Nasledov%20Emel’yanenko&f=false
- http://dn.nasledov.com/nasledov_rus.pdf
- http://library.eltech.ru/cgi-bin/irbis64r_11/cgiirbis_64.exe?LNG=&P21DBN=GK&I21DBN=GK_PRINT&S21FMT=fullw_print&C21COM=F&Z21MFN=27457
- http://www.dissercat.com/content/osobennosti-rezistivnykh-i-galvanomagnitnykh-yavlenii-v-anizotropnykh-poluprovodnikakh
- http://www.issp.ac.ru/ebooks/disser/Sergeev_G_S.pdf
- http://www.dissercat.com/content/vliyanie-neravnovesnykh-sostoyanii-medi-na-fotoprovodimost-fosfida-galliya
- http://www.dissercat.com/content/vliyanie-elektricheskogo-polya-na-magnitosoprotivlenie-germaniya-i-armenida-galliya
- Родившиеся 7 ноября
- Родившиеся в 1926 году
- Умершие 27 мая
- Умершие в 2012 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в Санкт-Петербурге
- Учёные по алфавиту
- Физики по алфавиту
- Физики СССР
- Физики России
- Физики XX века
- Физики XXI века
- Кандидаты физико-математических наук
- Выпускники физического факультета Санкт-Петербургского государственного университета
- Сотрудники Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе