Сноуден, Кристофер

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Сноуден, Кристофер












Сэр Кри́стофер Ма́ксвелл Сно́уден (англ. Sir Christopher Maxwell Snowden; [Нет даты!]) — британский инженер-электронщик и академик. Бывший вице-канцлер Университета Суррея (2005—2015) и Саутгемптонского университета (2015—2019). Занимал пост президента Universities UK в течение двух лет до 31 июля 2015 года[1]. В настоящее время является председателем ERA Foundation[2].

Биография[править]

Сноуден изучал электронную и электротехнику в Университете Лидса, получив степень бакалавра наук в 1977 году, а также степени магистра наук и доктора философии в 1982 году. Его докторская диссертация была посвящена микроволновым генераторам для радиолокационных применений и моделированию полупроводниковых приборов. Он проводил свои докторские исследования в компании Racal-MESL Ltd недалеко от Эдинбурга в Шотландии, а также в Университете Лидса[3].

С 1977 по 1978 год Сноуден работал инженером по применению в Mullard Applications Laboratory. С 1982 по 1983 год читал лекции на кафедре электроники в Йоркском университете. С 1983 по 2005 год был сотрудником Университета Лидса, своей бывшей альма-матер, работая на кафедре электротехники и электроники, а в 1992 году стал профессором микроволновой инженерии. С 1995 по 1998 год возглавлял школу и недолго исполнял обязанности руководителя Bodington Hall. Во время работы в Лидсе он был одним из основателей Института микроволн и фотоники, под его руководством находилось 50 аспирантов[4]. Он также работал в компании M/A-COM в США в период с 1989 по 1991 год в качестве старшего научного сотрудника в Корпоративном центре исследований и разработок, расположенном недалеко от Бостона.

В 1998 году он был назначен в совет директоров Filtronic plc в качестве исполнительного директора по технологиям, где инициировал создание Global Technology Group. Впоследствии, в 1999 году, он был назначен совместным главным исполнительным директором Filtronic plc. В 2001 году стал главным исполнительным директором Filtronic ICS.

Он также был приглашённым профессором в Даремском университете до 2005 года и приглашённым учёным в Делфтском техническом университете с 1996 по 1998 год.

Университет Суррея[править]

Сноуден был президентом и вице-канцлером Университета Суррея с 2005 по 2015 год.

В 2009 году он объявил о сокращении 65 рабочих мест, всего через несколько недель после того, как университет сообщил об успешном получении финансирования в размере 600 000 фунтов стерлингов для помощи людям, рискующим потерять работу во время рецессии. Позже он подвергся критике за предложение дальнейших сокращений рабочих мест, несмотря на то, что в то время университет имел профицит в размере 4 млн фунтов стерлингов. Под его руководством Суррей рассматривал возможность введения метрической оценки эффективности работы персонала, основанной на количестве студентов, набравших 60% или выше[5], а позже рассматривал новый порог, которого сотрудники должны были достичь в оценках студентов (3,8 из 5), чтобы избежать применения к ним специальных мер. Последнее побудило UCU рассмотреть вопрос о вынесении вотума недоверия Сноудену[6].

Университет занял 4-е место в рейтинге университетов The Guardian 2016 года[7], поднявшись с 6-го места в 2015 году[8]. Суррей был назван Университетом года в The Times and Sunday Times Good University Guide 2016. Он занял первое место в категориях «Лучшее преподавание» и «Лучший студенческий опыт»[9]. Это произошло несмотря на продолжающийся спор между студентами и UCU по поводу сокращений в университете[10].

Universities UK[править]

Сноуден был президентом группы Universities UK (UUK), состоящей из 134 членов, с 1 августа 2013 года по 31 июля 2015 года[1]. Он сменил Эрика Томаса, вице-канцлера Бристольского университета, а его преемницей стала дама Джулия Гудфеллоу. С ноября 2012 года по август 2013 года Сноуден занимал одну из должностей вице-президента UUK, представляя Англию и Северную Ирландию, а с 2009 по 2011 год возглавлял их Комитет по политике в области трудоустройства, бизнеса и промышленности.

Саутгемптонский университет[править]

20 марта 2015 года Саутгемптонский университет объявил[11], что Сноуден станет его новым вице-канцлером после ухода на пенсию профессора Дона Натбима, этот шаг вступил в силу с октября 2015 года.

В 2017 году Сноуден возглавил крупнейшую инвестиционную программу за 155-летнюю историю Саутгемптона, планируя инвестировать более 600 миллионов фунтов стерлингов в течение следующего десятилетия. Для этого университет выпустил облигации на сумму 300 миллионов фунтов стерлингов.

В июне 2017 года Сноуден выступил против Teaching Excellence Framework, которая присвоила Саутгемптонскому университету бронзовый рейтинг, назвав её «фундаментально ошибочной» и не имеющей «никакой ценности или авторитета»[12].

В 2018 году Саутгемптонский университет получил серебряный рейтинг[13]. Сноуден опубликовал заявление, в котором поблагодарил тех сотрудников учреждения, которые внесли свой вклад, и заявил, что рейтинг является гарантией для студентов, что их опыт в Саутгемптонском университете приведёт к отличным результатам для выпускников[14].

Сноуден ушёл со своей должности в Саутгемптоне весной 2019 года. Его преемником на посту вице-канцлера станет профессор Марк Смит[15].

Критика зарплаты[править]

С июня 2017 года зарплата Сноудена стала частью общебританских дебатов о зарплате вице-канцлеров, которые начались с критики зарплаты дамы Глинис Брейкуэлл, вице-канцлера Университета Бата. Зарплата Сноудена в размере 433 000 фунтов стерлингов была одной из самых высоких в секторе высшего образования Великобритании и вызвала конкретную критику со стороны тогдашнего министра университетов Джо Джонсона[16] и пэра от Лейбористской партии лорда Адониса[17]. В марте 2018 года The Guardian в статье о зарплате вице-канцлеров Великобритании подчеркнула, что зарплата Сноудена как главы Саутгемптонского университета была выше, чем у руководителей Городского совета Саутгемптона (166 786 фунтов стерлингов) или University Hospital Southampton NHS Foundation Trust (195 000 фунтов стерлингов)[18].

Была также дополнительная критика существенного повышения зарплаты, в том числе со стороны генерального секретаря UCU Салли Хант. Однако позже было разъяснено, что это разница между оплатой Сноудена за его первые 10 месяцев в должности в 2015—2016 годах по сравнению с его зарплатой за первые полные 12 месяцев работы в 2016—2017 учебном году[19].

Председатель Совета Саутгемптонского университета Джилл Райдер защитила уровень вознаграждения Сноудена как отражающий его опыт[20].

Исследования[править]

Научные интересы Сноудена лежат в области микроволновых, миллиметровых и оптоэлектронных приборов и схем. Он был пионером в применении численных физических моделей приборов для всестороннего описания переноса электронов при работе микроволновых транзисторов и, в частности, в исследовании свойств взаимодействия прибор-схема. Это позволило значительно улучшить и оптимизировать конструкции транзисторов. Эта работа была особо отмечена при его избрании членом Лондонского королевского общества[21] и членом IEEE.

Его ранние работы были сосредоточены на двумерном численном моделировании. В частности, он работал над эффектами горячих электронов в полевых транзисторах с коротким затвором (FET), где показал, что высокоэнергетические электроны в подложках транзисторов вносят значительный вклад в ток проводимости[22]. Он также внёс вклад в разработку новых нелинейных моделей лазерных диодов, которые нашли особое применение в новых системах связи с высокой скоростью передачи данных[23][24].

В середине 1980-х годов вместе с коллегами из университетов Лилля и Дуйсбурга он исследовал потенциал нового класса физических моделей, который стал известен как квазидвумерный (Q2D) подход[25]. Было показано, что он чрезвычайно эффективен при моделировании полевых транзисторов, таких как популярный полевой транзистор с барьером Шоттки (MESFET). Модели Сноудена продемонстрировали способность точно прогнозировать характеристики постоянного тока и радиочастот на основе физической геометрии и свойств материалов, доступных из данных изготовления[26]. Более того, модель Q2D может быть решена более чем в 1000 раз быстрее, чем полные двумерные модели, что делает её подходящей для приложений автоматизированного проектирования[27][28]. Эти модели широко использовались по всему миру в промышленности и научных кругах. Модели использовались для разработки высокопроизводительных микроволновых транзисторов с хорошо предсказуемыми характеристиками, которые затем производились в больших объёмах несколькими компаниями. Одним из самых успешных был микроволновый транзистор с импульсным легированием «hi-lo-hi», который достигал высоких напряжений пробоя и был особенно пригоден для крупносерийного производства[29].

Сноуден продолжил применять этот метод к транзисторам с высокой подвижностью электронов (HEMT), в период с 1995 по 2005 год используя высокоэффективные модели квантового управления зарядом[30]. Было показано, что это эффективный метод моделирования и проектирования HEMT на основе AlGaAs/GaAs и важных псевдоморфных транзисторов с высокой подвижностью электронов (pHEMT) на основе систем InGaAs/GaAs. С использованием этих знаний были разработаны и изготовлены новые конструкции мощных pHEMT (некоторые с мощностью более 100 Вт на частоте 2 ГГц), которые достигали высоких напряжений пробоя при сохранении отличного усиления сигнала на микроволновых частотах[31]. pHEMT широко используются в приложениях связи, и многие миллиарды схем на основе интегральных схем pHEMT были использованы в таких продуктах, как мобильные телефоны, радары и спутниковые приёмники[32]. С 2008 года он применяет новые модели Q2D к мощным МОП-транзисторам с боковой диффузией (LDMOS) для мощных усилителей в системах связи, достигая аналогичных высоких уровней точного прогнозирования и преимущества в скорости[33][34].

В период с 1990 по 1997 год Сноуден разработал новую электротермическую эквивалентную схему на основе физики для гетеропереходных биполярных транзисторов, которая подходила для применения в усилителях мощности (широко используемых в сотовых телефонах). В 1999 году он был удостоен премии IEEE Microwave Theory and Techniques Society Microwave Prize за эту работу, описанную в его статье 1997 года «Large-signal Microwave Characterization of AlGaAs/GaAs HBT's Based on a Physics Based Electrothermal Model» (IEEE TMTT, MTT-45, pp. 58–71, 1997)[35].

Сноуден продолжил разработку дальнейших моделей, основанных на включении взаимодействия между тепловыми эффектами и электронным поведением, что оказалось важным для точного моделирования силовых транзисторов и конструкций усилителей мощности. Впоследствии он развил это в полностью интегрированные модели, включающие электромагнитные эффекты в физические модели и демонстрирующие значимость этого типа глобальной модели для схем миллиметрового диапазона[36].

Он также разработал несколько новых методов интеграции микроволновых, миллиметровых и оптических схем. Во время работы в M/A-COM в качестве старшего научного сотрудника он распространил их технологию стеклянных микроволновых интегральных схем (GMIC) на фотонику, внедрив концепцию встраивания световодов в GMIC для обеспечения фотонных схем и интерфейсов с твердотельными лазерами, детекторами и высокоскоростными процессорами. Впервые он представил эти концепции на конференции IEEE LEOS в 1991 году[37], и впоследствии эта концепция была разработана для использования на скорости 622 Мбит/с в приложениях синхронной оптической сети (SONET)[38].

Сноуден написал восемь книг, включая Introduction to Semiconductor Device Modelling[39], Introduction to Semiconductor Device Modelling[40] и Introduction to Semiconductor Device Modelling[41]. В 1988 году он опубликовал один из первых пакетов программного обеспечения для интерактивного анализа схем для персональных компьютеров совместно с Wiley[42]. Он выступал в качестве редактора четырёх журналов и трёх специальных выпусков, а также серии книг EEE Wiley. Он был председателем ряда крупных международных конференций, включая Европейскую микроволновую конференцию 2006 года.

Стипендии, членство, общества и компании[править]

Сноуден является бывшим президентом Institution of Engineering and Technology (IET) (2009–2010)[43]. До августа 2013 года он был вице-президентом Королевской инженерной академии, где возглавлял Комитет по инженерной политике Академии[44]. В 2014 году он был приглашён стать заместителем председателя жюри 2015 года премии Queen Elizabeth Prize for Engineering (QEPrize) и в настоящее время является её председателем.

В 2011 году премьер-министр назначил Сноудена в свой консультативный Council for Science and Technology (CST). Он также является членом Консультативного совета по форсайту правительства Великобритании[45].

Сноуден был членом руководящего органа британской Innovate UK (ранее известной как Совет по технологической стратегии (TSB)) с 2009 по 2015 год. Он был членом Совета по промышленности и высшему образованию (CIHE) ([ CIHE]) и в настоящее время является членом Совета руководителей Национального центра университетов и бизнеса (NCUB). В период с 2006 по 2012 год он был членом Совета британского Engineering and Physical Sciences Research Council (EPSRC)[46].

Он является членом Королевского общества (2005) и был членом его Совета (2012–2013)[47]. Он является членом Королевской инженерной академии (2000), Institution of Engineering and Technology (IET) (1993), IEEE (1996) и City and Guilds of London Institute (2005)[48].

Он был членом панелей Комитета по форсайту по коммуникациям и медиа и использованию электромагнитного спектра. С 2002 по 2007 год он был членом Национального консультативного комитета Великобритании по электронным материалам. С 2002 по 2005 год он был членом наблюдательного совета Центра оборонных технологий электромагнитного дистанционного зондирования. Он несколько раз выступал перед Специальным комитетом Палаты общин Великобритании.

Он был председателем Daphne Jackson Trust с 2005 по 2009 год и был покровителем фонда до 2015 года[49]. Он был покровителем Surrey Youth Focus и Transform Housing & Support до 2015 года. До 2011 года он был управляющим Royal Surrey County Hospital NHS Foundation UK.

Он был неисполнительным директором таких компаний, как Intense Ltd, CENAMPS Ltd и SSTL. С 2003 по 2007 год он был членом правления Европейской микроволновой ассоциации, где некоторое время также занимал должность заместителя председателя. Он был председателем HERO Ltd с 2006 по 2009 год и членом руководящего совета Совета по инженерным технологиям с 2007 по 2009 год.

До 2011 года он был членом Консультативного совета по науке, инженерии и технологиям Юго-Восточной Англии (SESETAC).

Награды и премии[править]

В 1999 году он был удостоен премии IEEE Microwave Prize за свою исследовательскую работу по микроволновым силовым транзисторам для приложений связи, а в 2009 году — премии IEEE Distinguished Educator Award от Microwave Theory and Techniques Society (MTT).

Королевская инженерная академия наградила его своей Серебряной медалью за «Выдающийся личный вклад в микроволновую полупроводниковую промышленность Великобритании» в 2004 году[50].

В 2009 году он получил премию IEEE MTT Distinguished Educator Award за выдающиеся достижения в качестве педагога, наставника и образца для подражания для инженеров-микроволновиков и студентов инженерных специальностей.

Сноуден был посвящён в рыцари в новогоднем списке наград 2012 года за заслуги в области инженерии и высшего образования[51][52].

Примечания[править]

  1. ↑ 1,0 1,1 UNIVERSITIES UK ANNOUNCES PRESIDENT FOR 2013 - 2015 http://surrey.ac.uk/mediacentre/press/2012/93554_universities_uk_announces_president_for_2013_2015.htm
  2. ↑ Our Board - ERA Foundation. Проверено 19 августа 2026.
  3. ↑ Biographical details from the EPSRC website Архивировано из первоисточника 3 October 2009.
  4. ↑ Christopher Maxwell Snowden. Проверено 19 августа 2026.
  5. ↑ Surrey considered grade targets for staff appraisals (2013-07-17). Проверено 19 августа 2026.
  6. ↑ UCU considers vote of no confidence for Surrey v-c (2014-05-28). Проверено 19 августа 2026.
  7. ↑ [1] Guardian University Guide 2016
  8. ↑ University league table 2015 - the complete list (2 июня 2014 года).
  9. ↑ Surrey named University of the Year in national survey. ITV.com. Проверено 19 августа 2026.
  10. ↑ Watkins, James University of Surrey staff vote for strike action following job loss row. getsurrey (2015-05-09). Проверено 19 августа 2026.
  11. ↑ The new Vice-Chancellor of the University (2015-03-20). Проверено 19 августа 2026.
  12. ↑ TEF: 'meaningless' results 'devoid of credibility', says v-cангл.. Times Higher Education (THE) (2017-06-22). Проверено 19 августа 2026.
  13. ↑ Southampton and Soas return for TEF regrade, Times Higher Education.
  14. ↑ Silver TEF award reflects Southampton's commitment to delivering quality student experience. Проверено 19 августа 2026.
  15. ↑ Southampton announces new vice-chancellor. University of Southampton (2019-04-08). Проверено 19 августа 2026.
  16. ↑ Universities minister says UK vice-chancellors are paid too much. Times Higher Education. Проверено 19 августа 2026.
  17. ↑ Highest-paid university vice-chancellor in UK resigns after pay pressure, Financial Times (28 ноября 2017 года).
  18. ↑ University vice-chancellors are paid far more than public sector peers. TheGuardian.com (2018-03-11). Проверено 19 августа 2026.
  19. ↑ Financial Statements | Finance, Planning and Analytics | University of Southampton. Проверено 19 августа 2026.
  20. ↑ Bath resignation shines light on university governance (29 ноября 2017 года).
  21. ↑ [2] The Royal Society Archive
  22. ↑ Snowden, C.M. and Loret, D, "Two dimensional hot electron models for short gate length GaAs MESFET's", IEEE Trans. Electron Devices, pp.212 223, February 1987
  23. ↑ Iezekiel S., Snowden, C.M and Howes M.J., "Nonlinear Circuit Analysis of Harmonic and Intermodulation Distortions in Laser Diodes Under Microwave Direct Modulation", IEEE MTT, Vol. 38, No.12, pp.1906-1915, December 1990
  24. ↑ Lim, C.G., Iezekiel, S., and Snowden, C.M, "Nonlinear Dynamics of Optically-Injected Self-Pulsating Laser Diodes" IEEE Journal of Quantum Electronics, Vol.37, pp.699-706, May 2001
  25. ↑ [3] CORE
  26. ↑ 4 Snowden, C.M. and Pantoja, R.R., "GaAs MESFET Physical Models for Process Oriented Design", IEEE Trans. MTT, Vol. 40, No.7, pp.1401-1409, July 1992
  27. ↑ Snowden, C.M. and Pantoja, R.R., "Quasi Two Dimensional MESFET Models Application and Validation", European Transactions on Telecommunications and Related Technologies, No. N.4-1990, Volume 1, pp.383-388, August 1990
  28. ↑ Pantoja, R.R., Howes, M.J., Richardson, J.R.R and Snowden, C.M., "A Large Signal Physical MESFET Model for CAD and its Applications" IEEE Trans. MTT, pp.2039 2045, December 1989
  29. ↑ Snowden, C.M. and Pantoja, R.R., "GaAs MESFET Physical Models for Process Oriented Design", IEEE Trans. MTT, Vol. 40, No.7, pp.1401-1409, July 1992
  30. ↑ Drury, R. and Snowden, C.M., "A Quasi-Two-Dimensional HEMT Model for Microwave CAD Applications", IEEE Transactions on Electron Devices, pp. 1026-1032, June 1995
  31. ↑ M. Akkul, M. Sarfraz, J. Mayock, and W. Bosch, "50 watt MMIC power amplifier design for 2 GHz applications," in Proc. IEEE Int. Microwave Symp., Fort Worth, TX, June 2004, pp. 1355–1358
  32. ↑ O'Keefe, M.F., Atherton, J.S., Bösch, W., Burgess, P., Cameron, N.I., and Snowden, C.M., "GaAs pHEMT Based Technology for Microwave Applications in a Volume MMIC Production Environment on 150mm Wafers", IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing, Vol.16, No.3: 376–383, August 2003
  33. ↑ Everett, J, Kearney, M.J., Rueda, H., Johnson, E.M., Aaen, P.H., Wood, J, and Snowden, C.M., "A Quasi-Two-Dimensional Model for High-Power RF LDMOS Transistors" (10.1109/TED.2011.2160546) IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 58, No. 9, pp.3081-3088, September 2011
  34. ↑ Aaen P., Wood J., Bridges D., Zhang L., Johnson E., Lamey D., Barbieri T., Pla J., Snowden C.M., Everett, J.P. and Kearney, M.J., Multiphysics Modeling of RF & Microwave High-Power Transistors, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, Vol. 60, No. 12, pp. 4013- 4023, December 2012 4013
  35. ↑ Snowden, C. M. (1997-01-01). «Large-signal microwave characterization of AlGaAs/GaAs HBT's based on a physics-based electrothermal model». IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques 45 (1): 58–71. DOI:10.1109/22.552033. Bibcode: 1997ITMTT..45...58S.
  36. ↑ Denis, D., Snowden, C.M., Hunter, I., "Coupled Electrothermal, Electromagnetic and Physical Modeling of Microwave Power FETs", IEEE Trans. Microwave Theory and Techniques, Vol. 54, No. 6, pp. 2465-2470, June 2006
  37. ↑ Snowden, C.M., "Modeling of III-V Electronic and Optoelectronic Devices: An Overview", Invited Speaker, IEEE/Lasers and Electro-Optics Society/Optical Society of America, Proceedings Integrated Photonics Research Conference, April 9th-11th 1991
  38. ↑ Stavros Iezekiel, Eric A. Soshea, Matthew F. O'Keefe and Christopher M. Snowden, IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, VOL. 43. NO. 9, SEPTEMBER 1995
  39. ↑ Introduction to Semiconductor Device Modelling. — World Scientific Pub Co Inc, 1998. — ISBN 978-9971-5-0142-6.
  40. ↑ Snowden, C.M., Introduction to Semiconductor Device Modelling, World Scientific Publishing, ISBN 9971 50 142 2 (250pp. Published December 1986)
  41. ↑ Snowden, C.M., Introduction to Semiconductor Device Modelling, Japanese Translation, Gendai Kogaku Sha, Publishers, Translated by Kenji Taniguchi and Chihiro Hamaguchi. World Scientific Publishing Co., ISBN 978-9971501426, (193pp) Published May 1988
  42. ↑ Snowden, C.M., "INCA Interactive Circuit Analysis", Wiley (UK), (Software and manual), ISBN 0 471 91933 0, Published April 1988.
  43. ↑ Board of Trustees - The IET.[недоступная ссылка] Проверено 6 января 2010.
  44. ↑ RAeng website
  45. ↑ Membership - Council for Science and Technology - GOV.UK. Проверено 19 августа 2026.
  46. ↑ EPSRC Press Release Архивировано из первоисточника 17 December 2009.
  47. ↑ Sir Christopher Snowden FREng FRS. The Royal Society. Проверено 19 августа 2026.
  48. ↑ Biographical details on EPSRC website Архивировано из первоисточника 3 October 2009.
  49. ↑ Charity Commission website[недоступная ссылка (September 2024)]
  50. ↑ RAeng press release
  51. ↑ Приложение №60009, с. 1англ. // London Gazette : газета. — L. — В. 60009. — № 60009. — ISSN 0374-3721.
  52. ↑ New Year honours list: Knights (30 декабря 2011 года).
Рувики

Одним из источников, использованных при создании данной статьи, является статья из википроекта «Рувики» («ruwiki.ru») под названием «Сноуден, Кристофер», расположенная по адресу:

—https://ru.ruwiki.ru/wiki/Сноуден,_Кристофер

Материал указанной статьи полностью или частично использован в Циклопедии по лицензии CC-BY-SA 4.0 и более поздних версий.

Всем участникам Рувики предлагается прочитать материал «Почему Циклопедия?».

Источник — http://cyclowiki.org/w/index.php?title=Сноуден,_Кристофер&oldid=2726248