Моисей Семёнович Хайкин

Моисей Семёнович Хайкин

Дата рождения

5 декабря 1921 года

Место рождения

Москва, РСФСР

Дата смерти

7 декабря 1990 года

Гражданство

Москва, СССР

Научная сфера

физика

Известен как

физик, специалист в области электронных явлений и физики низких температур, изучавший устойчивость заряженной поверхности жидкого гелия, инициатор работ по сканирующей туннельной микроскопии в СССР

Награды и премии

Премия им. М. В. Ломоносова (1970) — за работы по обнаружению магнитных поверхностных уровней и их исследованию

учёный

Моисей Семёнович Хайкин — деятель науки.

Биография

Родился в семье видного учёного.

В 1947 окончил МГУ.

С 1945 трудился в ИФП. Википедия следующим образом описывает его результаты:

Первые работы посвящены исследованию СВЧ импеданса сверхпроводников. Создал резонаторы СВЧ и высокостабильный генератор на их основе с рекордной для того времени стабильностью. Провел прецизионные исследования циклотронного резонанса в олове, индии, висмуте, свинце, алюминии (1959—1973), обнаружил и исследовал траекторные размерные эффекты отсекания циклотронного резонанса и скачка импеданса при равенстве диаметра орбиты электронов толщине образца (1961).

На основе его работ был получен важный для теории металлов результат — установлено, что поверхности Ферми имеют форму, близкую к модели почти свободных электронов. Обнаружил зависимость перенормировки эффективной массы электронов от температуры из-за электрон-фононного взаимодействия (1970—1973). Открыл магнитные поверхностные уровни, обязанные квантованию движения электронов по орбитам, «скачущим» по поверхности образца при зеркальном отражении (1960).

Исследовал излучение света при неупругом туннелировании, связанное с возбуждением поверхностных плазмонов в металлах и с переходами в спектрах молекул, помещенных на поверхности образца (1990).

В 1947—1950 преподавал в МГУ, затем — в МФТИ.

В 1952 — к.ф.-м.н.

В 1962 или 1964 — д.ф.-м.н.

В 1968 изобрёл дилатометр.

В 1961 представил способ измерения поверхностного сопротивления металлов при низких температурах.

В 1973 открыл циклотронный резонанс на неэкстремальных орбитах.

В 1978—1983 выявил сверхпроводимость плоскости двойникования в металлах, иногда приводящую к существенному росту температуры сверхпроводящего перехода.

В 1985 изобрёл 1-й в Союзе сканирующий туннельный микроскоп оригинальной конструкции и использовал его для измерения энергетической щели в высокотемпературных сверхпроводниках, её зависимости от состава и технологии ВТСП (1987).

В 1987 — ч.-к. АН СССР.

С 1988 — главред журнала «Приборы и техника эксперимента».

В 1989 — профессор.