Одед Ход

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Одед Ход

Научный деятель
Oded Hod.jpg


Дата рождения
23 апреля 1973 года
Место рождения
Рамат-Ган, Израиль











Одед Ход (англ. Oded Hod, ивр. עודד הוד) — израильский биофизик и физико-химик, профессор химического факультета Тель-Авивского университета и заведующим кафедрой физической химии[1].

Биография[править]

Родился 23 апреля 1973 года в Рамат-Гане в семье Израиля (Иззи) Хода, профессора медицины и сельского хозяйства в Еврейском университете, и Эмили (Эми) Фрейброн, врача, пережившей Холокост.

С 1991 по 1994 год учился в Еврейском университете на химическом (основном) и физическом (дополнительном) факультетах в рамках программы подготовки офицеров запаса (Атуда).

После получения диплома отправился на военную службу в ВВС, где служил с 1994 по 1998 год. Затем перешёл в Министерство обороны, где служил до 2000 года.

С 2000 по 2005 год работал над докторской диссертацией по теоретической химии в Тель-Авивском университете под руководством Эрана Рабани и Роя Баера. С 2005 по 2008 год был постдокторантом в Университете Райса, специализируясь на вычислительной химии.

С 2010 по 2012 год руководил израильским филиалом Европейского центра атомных и молекулярных вычислений (CECAM) при Тель-Авивском университете.

С 2011 по 2016 год был членом Young Global Academy.

С 2012 по 2017 год был членом Израильской молодёжной академии.

В 2018 году писали: сверхсмазывание на микроуровне может открыть путь к созданию усовершенствованных электромеханических устройств будущего. Новое совместное исследование Тель-Авивского университета и Университета Цинхуа показало, что между разнородными материалами с микроскопическими слоями можно добиться надёжной структурной суперсмазки при высоких внешних нагрузках и в условиях окружающей среды. Исследователи обнаружили, что микроскопические границы раздела между графитом и гексагональным нитридом бора демонстрируют сверхнизкое трение и износ. Это важная веха для будущих технологических применений в космической, автомобильной, электронной и медицинской отраслях. Исследование является результатом совместной работы профессора Одеда Хода и профессора Майкла Урбаха из Школы химии Техниона, а также профессора Мин Ма и профессора Цюаньшуя Чжэна с факультета машиностроения Университета Цинхуа и их коллег. Исследование проводилось под эгидой совместного центра XIN Техниона и Университета Цинхуа и было опубликовано в Nature Materials 30 июля. «Сверхсмазывание — это очень интересное физическое явление, при котором трение между двумя соприкасающимися поверхностями практически отсутствует или находится на сверхнизком уровне, — говорит профессор Ход. — Практическое значение достижения устойчивого сверхсмазывания в макроскопических масштабах огромно. Ожидаемая экономия энергии и предотвращение износа значительны.» Это исследование стало результатом более ранних прогнозов теоретических и вычислительных групп Тель-Авивского университета о том, что устойчивая структурная суперсмазываемость может быть достигнута за счёт формирования границ раздела между графеном и гексагональным нитридом бора. «Эти два материала сейчас у всех на слуху после присуждения Нобелевской премии по физике в 2010 году за новаторские эксперименты с двумерным материалом графеном. Суперсмазываемость — одно из наиболее перспективных практических применений этих материалов», — говорит профессор Ход.

В 2021 году писали: Тель-Авивский Университет представляет: самая тонкая технология в мире — исследователи из Тель-Авивского университета создали самую миниатюрную в мире технологию толщиной всего два атома. По словам исследователей, новая технология предлагает способ хранения электрической информации в самом тонком устройстве, известном науке на данный момент, в одном из самых стабильных и инертных материалов в природе. Разрешенное квантово-механическое туннелирование электронов через атомарно тонкую пленку может значительно ускорить процесс считывания информации по сравнению с современными технологиями. Исследование было проведено учеными из Школы физики и астрономии и Школы химии Тель-Авивского университета. В состав исследовательской группы входят Мааян Визнер Штерн, Ювал Вашиц, доктор Вей Цао, доктор Ифтах Нево, профессор Эран Села, профессор Майкл Урбах, профессор Одед Ход и доктор Моше Бен-Шалом[2].

Исследования Хода находятся в области вычислительной наноматериаловедения. В своей работе он исследует электронные, магнитные, механические и электромеханические свойства материалов в наномасштабе. Используя передовые вычислительные платформы, его группа исследует множество физических явлений, включая электронную динамику в открытых квантовых системах, квантовую интерференцию и явления когерентности в кольцевых молекулярных соединениях, трение на наномасштабных интерфейсах между слоистыми материалами и химическую адсорбцию на различных поверхностях, включая графен, наноалмазы и нанотрубки из кремния и нитрида бора.

Прикладной потенциал его исследований охватывает широкий спектр технологических областей, включая мир электроники и молекулярной спинтроники, область нанотрибологии, которая занимается разработкой твердых смазочных материалов на основе слоистых наночастиц, сверхчувствительных химических детекторов и наноэлектромеханических устройств для целей навигации и управления.

Ход женат на Ади, экономисте по профессии, у пары трое дочерей.

Труды[править]

  • Hod, Oded; Barone, Veronica; Peralta, Juan E.; Scuseria, Gustavo E. (2007-08-08). "Enhanced Half-Metallicity in Edge-Oxidized Zigzag Graphene Nanoribbons". Nano Letters. 7 (8): 2295–2299.
  • Hod, Oded; Barone, Verónica; Scuseria, Gustavo E. (2008-01-10). "Half-metallic graphene nanodots: A comprehensive first-principles theoretical study". Physical Review B. 77 (3): 035411.
  • Marom, Noa; Bernstein, Jonathan; Garel, Jonathan; Tkatchenko, Alexandre; Joselevich, Ernesto; Kronik, Leeor; Hod, Oded (2010-07-19). "Stacking and Registry Effects in Layered Materials: The Case of Hexagonal Boron Nitride". Physical Review Letters. 105 (4): 046801.
  • Hod, Oded (2012-04-10). "Graphite and Hexagonal Boron-Nitride have the Same Interlayer Distance. Why?". Journal of Chemical Theory and Computation. 8 (4): 1360–1369.

Примечания[править]