Эран Рабани

Материал из Циклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Эран Рабани


Дата рождения
17 апреля 1967 года
Место рождения
Иерусалим, Израиль











Эран Рабани (англ. Eran Rabani, ивр. ערן רבני) — израильский химик-теоретик, профессор химии в Калифорнийском университете в Беркли, заведующий кафедрой физической химии им. Гленна Т. Сиборга, директор Центра вычислительной молекулярной науки и материаловедения им. Саклера, а также научный сотрудник Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли[1].

Биография[править]

Родился 17 апреля 1967 года в Иерусалиме.

В 1991 году получил степень бакалавра химии в Еврейском университете в Иерусалиме. В 1996 году под руководством Рафаэля Дэвида Левина защитил докторскую диссертацию по теме «Dynamics and Kinetics of Molecular Rydberg States: A Dynamic and Dissipative Approach».

После окончания постдока в Колумбийском университете в 1999 году Рабани устроился на факультет Химической школы Тель-Авивского университета.

В 2008 году стал профессором Тель-Авивского университета.

Был членом совета и вице-мэром Хар-Адара в период с 2008 по 2010 год.

В 2014 году перешёл на факультет химического факультета Калифорнийского университета в Беркли, а затем в 2015 году на факультет Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли.

Вклад в науку[править]

Интерес Рабани к теории наноматериалов возрос во время его постдокторского пребывания в группе Брюса Дж. Берна в Колумбийском университете, изучавшей электронные свойства нанокристаллов селенида кадмия.

В феврале 2011 года СМИ сообщили, что профессор Эран Рабани из Школы химии Тель-Авива с коллегами из Колумбийского университета (США) открыли новый квантово-механический эффект, который наблюдается в стеклообразующих жидкостях. Они обнаружили, что стекло можно растопить, не нагревая его, а охлаждая до температуры на несколько градусов выше абсолютного нуля[2].

В июне 2011 году учёным из Тель-Авивского университета и Еврейского университета в Иерусалиме удалось продемонстрировать, как можно легировать нанокристаллы, чтобы изменить их электронные свойства и использовать в качестве проводников. По словам профессора Эрана Рабани, это открывает целый ряд новых возможностей в области создания малой электроники и электрооптических устройств, таких как диоды и фотодиоды – электрические компоненты, используемые в мобильных телефонах, цифровых камерах и солнечных панелях.

Солнечные панели обычно создаются за счет p-n-перехода. Когда они поглощают свет, в зоне перехода разделяются положительные и отрицательные заряды, за счет чего создается электрический ток. Используя новый метод легирования нанокристаллов, ученые надеются не только увеличить эффективность солнечных панелей, но и снизить их стоимость.

Как отметил Рабани, легирование нанокристаллов было трудной задачей, поскольку они обладают способностью к самоочищению, то есть избавлению от допантов (легирующей примеси). Также, некоторые синтетические методы легирования проблематичны в применении на наноуровне. Поэтому было необходимо найти способ легирования нанокристаллов без «вытравливания» их оптических свойств и сведения на нет их способности к абсорбции.

Израильские учёные нашли решение: они опустили нанокристаллы в раствор с допантами. За счёт медленной контролируемой диффузии примеси оказались внутри наноклисталлов. При помощи сканирующего туннельного микроскопа ученые убедились в том, что легирование прошло успешно. Нанокристаллы оказались легированы как допантами n-типа (что говорит о присутствии в них избытка электронов), так и примесями р-типа. Это значит, что такие нанокристаллы можно будет использовать в электронных устройствах, требующих наличия p-n-перехода, например, солнечных панелях, светодиодах и многих других.

Начиная с 2012 года Рабани активно работает с Роем Баером (Еврейский университет в Иерусалиме) и Даниэлем Нойхаузером (Калифорнийский университет в Лос-Анджелесе) над применением стохастических методов для изучения электронной структуры больших систем, таких как нанокристаллы, включая стохастические формулировки приближения случайных фаз, теории возмущений Меллера–Плессета второго порядка и теории функционала плотности.

По состоянию на 2020 год Рабани имеет индекс Хирша 47, опубликовав более 230 статей, которые цитировались более 8600 раз.

Труды[править]

  • Rabani, Eran. "Dynamics and Kinetics of Molecular Rydberg States: A Dynamic and Dissipative Approach".
  • Rabani, Eran; Hetényi, Balázs; Berne, B. J.; Brus, L. E. (1999-03-15). "Electronic properties of CdSe nanocrystals in the absence and presence of a dielectric medium". The Journal of Chemical Physics. 110 (11): 5355–5369. Bibcode:1999JChPh.110.5355R. doi:10.1063/1.478431. ISSN 0021-9606.
  • Rabani, Eran; Egorov, S. A. (2001-08-22). "Interactions between passivated nanoparticles in solutions: Beyond the continuum model". The Journal of Chemical Physics. 115 (8): 3437–3440. Bibcode:2001JChPh.115.3437R. doi:10.1063/1.1395627. ISSN 0021-9606.
  • Rabani, Eran; Egorov, S. A. (January 2002). "Solvophobic and Solvophilic Effects on the Potential of Mean Force between Two Nanoparticles in Binary Mixtures". Nano Letters. 2 (1): 69–72. Bibcode:2002NanoL...2...69R. doi:10.1021/nl015645r. ISSN 1530-6984.
  • Rabani, Eran; Reichman, David R.; Geissler, Phillip L.; Brus, Louis E. (November 2003). "Drying-mediated self-assembly of nanoparticles". Nature. 426 (6964): 271–274. Bibcode:2003Natur.426..271R. doi:10.1038/nature02087. ISSN 0028-0836. PMID 14628047. S2CID 4413931.
  • Neuhauser, Daniel; Rabani, Eran; Baer, Roi (2013-04-04). "Expeditious Stochastic Calculation of Random-Phase Approximation Energies for Thousands of Electrons in Three Dimensions". The Journal of Physical Chemistry Letters. 4 (7): 1172–1176. doi:10.1021/jz3021606. ISSN 1948-7185. PMID 26282038. S2CID 32261457.
  • Neuhauser, Daniel; Rabani, Eran; Baer, Roi (2013-01-08). "Expeditious Stochastic Approach for MP2 Energies in Large Electronic Systems". Journal of Chemical Theory and Computation. 9 (1): 24–27. doi:10.1021/ct300946j. ISSN 1549-9618. PMID 26589007. S2CID 5166692.
  • Baer, Roi; Neuhauser, Daniel; Rabani, Eran (2013-09-04). "Self-Averaging Stochastic Kohn-Sham Density-Functional Theory". Physical Review Letters. 111 (10): 106402. arXiv:1304.4053. Bibcode:2013PhRvL.111j6402B. doi:10.1103/PhysRevLett.111.106402. ISSN 0031-9007. PMID 25166686. S2CID 270673.
  • Vlček, Vojtěch; Li, Wenfei; Baer, Roi; Rabani, Eran; Neuhauser, Daniel (2018-08-06). "Swift G W beyond 10,000 electrons using sparse stochastic compression". Physical Review B. 98 (7): 075107. arXiv:1805.10554. Bibcode:2018PhRvB..98g5107V. doi:10.1103/PhysRevB.98.075107. ISSN 2469-9950. S2CID 51686049.

Источники[править]