Бенцион Моисеевич Вул
Бенцион Моисеевич Вул
- Место рождения
- Белая Церковь, Российская империя
- Место смерти
- Москва, Советский Союз
Награды и премии
Бенцион Моисеевич Вул — советский физик, работавший в области физики диэлектриков, полупроводников и квантовой электроники, и сыгравший существенную роль в разработке первых советских полупроводниковых диодов, транзисторов, солнечных батарей и полупроводниковых лазеров; академик Академии наук СССР, доктор физико-математических наук, Герой Социалистического Труда[1].
Научная карьера[править]
Бенцион Вул родился 9 мая (22 мая) 1903 года в Белой Церкви в еврейской семье кузнеца, колесника, владельца небольшой мастерской.
Окончил двухклассную еврейскую школу в Белой Церкви, после чего учился в высшем начальном училище, Белоцероковской гимназии.
В 1920 году гимназисто добровольцем вступил в РККА в рядах в Первой конной армии принял участие в Гражданской войне.
В начале 1921 года был демобилизован.
После возвращения в Белую Церковь Вул был избран секретарём городской организации комсомола и на этой должности оставался несколько месяцев.
В 1921 году Киевским губкомом комсомола Вул был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет, учёбу в котором совмещал с комсомольской работой.
С 1922 года — член РКП(б).
Выполненная Вулом дипломная работа представляла собой проект тепловой электростанции для будущего Днепрогэса. Ещё в период работы над дипломом Вул был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института.
В январе 1928 года окончил Киевский политехнический институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники.
В конце 1929 году окончил аспирантуру, защитив диссертацию.
В начале 1930 года был рекомендован Киевским окружным партийным комитетом в аспиранты АН СССР и переехал в Ленинград.
С 1932 года работал лаборатории диэлектриков в Физическом институте АН СССР, под руководством академика Абрама Иоффе. Занимался проблемой электрической прочности твёрдых диэлектриков и газов.
С 1933 года руководил организованной им лабораторией физики диэлектриков (лабораторией физики полупроводников).
С 1934 года жил в Москве, куда переехал институт и возглавлял лабораторию физики диэлектриков, организованную Вулом по предложению директора института С.И. Вавилова. Этой лабораторией, впоследствии преобразованной в лабораторию физики полупроводников, Вул бессменно руководил более полувека.
В 1935 году — доктор физико-математических наук.
В 1937 году установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях; развил основы теории фильтрации аэрозолей.
В конце 1938 года окончил аспирантуру Академии наук и был оставлен в Академии учёным специалистом.
В 1939 году — член-корреспондент АН СССР.
Во время Великой Отечественной войны работал в эвакуации в Казани. Главные работы того времени посвящены физике диэлектриков. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Изучил твёрдые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив главные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения.
В 1944 году открыл новый сегнетоэлектрик — титанат бария BaTiO3 (точнее, открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков и положило начало многим научным работам и практическим применениям в области сегнетоэлектричества.
В 1946 году — лауреат Сталинской премии II степени за открытие и исследование сверхвысокой диэлектрической проницаемости титаната бария.
В 1948 году начал проводить исследования по физике полупроводников. Активные исследования в этой области, развернутые в лаборатории Вула, привели к тому, что в 1952−1953 годах были созданы первые в СССР плоскостные диоды и транзисторы и первые в мире диффузионные транзисторы. Данные работы сыграли важную роль в становлении советской полупроводниковой электроники. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Вул создал диффузионный транзистор и предложил р-n-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов.
С 1951 года — член Главной редакции БСЭ.
Вместе с Н.Г. Басовым и Ю.М. Поповым предложил идею создания полупроводниковых лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электронным пучком[2]. Эта идея была осуществлена в 1963 году.
Был главным редактором 5-томного Физического энциклопедического словаря, вышедшего в 1960−1966 годы.
В декабре 1962 года В.С. Багаев, Н.Г. Басов и Вул исоздали первый советский лазер на p-n переходе.
В 1962 году совместно с другими учёными осуществил первый в Советском Союзе полупроводниковый квантовый генератор.
В 1963 году участвовал в создании первых советских полупроводниковых лазеров.
21 апреля 1964 года — лауреат Ленинской премии за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводникового квантового генератора.
В 1964−1971 годах под его руководством был выполнен цикл исследований свойств теллурида кадмия — перспективного материала для изготовления детекторов и счетчиков радиоактивного излучения и фотопреобразователей. Другим объектом интенсивных исследований в лаборатории Бенциона Вула стали узкощелевые полупроводники — селенид и теллурид свинца, и твёрдые растворы на их основе. Важнейшее значение имеют выполненные Вулом исследования электропроводности в компенсированных полупроводниках.
13 марта 1969 года — Герой Социалистического Труда.
В 1972 году — академик АН СССР.
Основные исследования посвящены физике диэлектриков и полупроводников. Исследуя электрическую прочность диэлектриков, Вул открыл новую форму пробоя диэлектриков (последовательный пробой), установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Под руководством Вула разрабатывались первые полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные элементы. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил использовать в качестве нелинейных конденсаторов р-п-переходы в полупроводниках.
Умер 9 апреля 1985 года в Москве.
Его дочь Елена Бенционовна Вул была замужем за Я.Г. Синаем.
Труды[править]
- Последовательный пробой твердых диэлектриков, «Журнал технической физики», 1932, т. 2, в. 3—4;
- Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, «Электричество», 1946, № 3 (совм. с И. М. Гольдманом);
- О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках, «Журнал технической физики», 1955, в. 1;
- Электрическая прочность полупроводников, «Физика и техника полупроводников», 1967, т. 1, в. 11, с. 1638.
См. также[править]
Примечания[править]
- ↑ Российская Еврейская Энциклопедия
- ↑ «Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний», ЖЭТФ. 1959. Т. 37. № 2
- Родившиеся 22 мая
- Родившиеся в 1903 году
- Персоналии по алфавиту
- Родившиеся в Белой Церкви
- Умершие 9 апреля
- Умершие в 1985 году
- Умершие в Москве
- Герои Социалистического Труда
- Лауреаты Ленинской премии
- Лауреаты Сталинской премии
- Кавалеры ордена Ленина
- Кавалеры ордена Октябрьской Революции
- Кавалеры ордена «Знак Почёта»
- Награждённые медалью «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941—1945 гг.»
- Кавалеры ордена Трудового Красного Знамени
- Учёные по алфавиту
- Доктора физико-математических наук
- Действительные члены АН СССР
- Физики по алфавиту
- Физики России
- Физики СССР
- Физики XX века
- Выпускники Киевского политехнического института
- Первоконники
- Участники Гражданской войны в России
- Похороненные на Новодевичьем кладбище
- Сотрудники ФИАН
- Члены КПСС
- Публицисты СССР
- Ашкеназы
- Евреи в СССР
- Редакторы СССР
- Главные редакторы
- Евреи-физики