Бенцион Моисеевич Вул

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Бенцион Моисеевич Вул

Научный деятель
63ccf559af8dffa1b48d46cf40bcd695.jpg
Дата рождения 22 мая 1903 года
Место рождения Белая Церковь, Российская империя
Дата смерти 9 апреля 1985 года
Место смерти Москва, Советский Союз









Награды и премии Герой Социалистического Труда  — 1969Ленинская премия — 1964Сталинская премия — 1946
Орден ЛенинаОрден Ленина
Орден ЛенинаОрден Ленина
Орден ЛенинаОрден Октябрьской Революции
Орден «Знак Почёта»Медаль «За доблестный труд в Великой Отечественной войне 1941-1945 гг.
Медаль «В память 800-летия Москвы»Орден Трудового Красного Знамени



Бенцион Моисеевич Вулсоветский физик, работавший в области физики диэлектриков, полупроводников и квантовой электроники, и сыгравший существенную роль в разработке первых советских полупроводниковых диодов, транзисторов, солнечных батарей и полупроводниковых лазеров; академик Академии наук СССР, доктор физико-математических наук, Герой Социалистического Труда[1].

Содержание

[править] Научная карьера

Бенцион Вул родился 9 мая (22 мая) 1903 года в Белой Церкви в еврейской семье кузнеца, колесника, владельца небольшой мастерской.

Окончил двухклассную еврейскую школу в Белой Церкви, после чего учился в высшем начальном училище, Белоцероковской гимназии.

В 1920 году гимназисто добровольцем вступил в РККА в рядах в Первой конной армии принял участие в Гражданской войне.

В начале 1921 года был демобилизован.

После возвращения в Белую Церковь Вул был избран секретарём городской организации комсомола и на этой должности оставался несколько месяцев.

В 1921 году Киевским губкомом комсомола Вул был мобилизован в Киевский политехнический институт, где был зачислен на электротехнический факультет, учёбу в котором совмещал с комсомольской работой.

С 1922 года — член РКП(б).

Выполненная Вулом дипломная работа представляла собой проект тепловой электростанции для будущего Днепрогэса. Ещё в период работы над дипломом Вул был зачислен в аспирантуру электротехнического факультета Киевского политехнического института.

В январе 1928 года окончил Киевский политехнический институт и был оставлен аспирантом на кафедре электротехники.

В конце 1929 году окончил аспирантуру, защитив диссертацию.

В начале 1930 года был рекомендован Киевским окружным партийным комитетом в аспиранты АН СССР и переехал в Ленинград.

С 1932 года работал лаборатории диэлектриков в Физическом институте АН СССР, под руководством академика Абрама Иоффе. Занимался проблемой электрической прочности твёрдых диэлектриков и газов.

С 1933 года руководил организованной им лабораторией физики диэлектриков (лабораторией физики полупроводников).

С 1934 года жил в Москве, куда переехал институт и возглавлял лабораторию физики диэлектриков, организованную Вулом по предложению директора института С.И. Вавилова. Этой лабораторией, впоследствии преобразованной в лабораторию физики полупроводников, Вул бессменно руководил более полувека.

В 1935 году — доктор физико-математических наук.

В 1937 году установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях; развил основы теории фильтрации аэрозолей.

В конце 1938 года окончил аспирантуру Академии наук и был оставлен в Академии учёным специалистом.

В 1939 году — член-корреспондент АН СССР.

Во время Великой Отечественной войны работал в эвакуации в Казани. Главные работы того времени посвящены физике диэлектриков. Исследовал электрическую прочность диэлектриков, открыл новую форму пробоя (последовательного) диэлектрика, изучал электрические разряды в газах в однородных и неоднородных полях при различных давлениях. Изучил твёрдые диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, явления в диэлектриках при сильном гамма-облучении, установив главные закономерности изменения электропроводности диэлектриков под действием гамма-излучения.

В 1944 году открыл новый сегнетоэлектрик — титанат бария BaTiO3 (точнее, открыл и исследовал сегнетоэлектрические свойства титаната бария), чем положил начало созданию нового класса диэлектриков и положило начало многим научным работам и практическим применениям в области сегнетоэлектричества.

В 1946 году — лауреат Сталинской премии II степени за открытие и исследование сверхвысокой диэлектрической проницаемости титаната бария.

В 1948 году начал проводить исследования по физике полупроводников. Активные исследования в этой области, развернутые в лаборатории Вула, привели к тому, что в 19521953 годах были созданы первые в СССР плоскостные диоды и транзисторы и первые в мире диффузионные транзисторы. Данные работы сыграли важную роль в становлении советской полупроводниковой электроники. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Вул создал диффузионный транзистор и предложил р-n-переходы в полупроводниках использовать в качестве нелинейных конденсаторов.

С 1951 года — член Главной редакции БСЭ.

Вместе с Н.Г. Басовым и Ю.М. Поповым предложил идею создания полупроводниковых лазеров, эксимерных лазеров, возбуждаемых электронным пучком[2]. Эта идея была осуществлена в 1963 году.

Был главным редактором 5-томного Физического энциклопедического словаря, вышедшего в 19601966 годы.

В декабре 1962 года В.С. Багаев, Н.Г. Басов и Вул исоздали первый советский лазер на p-n переходе.

В 1962 году совместно с другими учёными осуществил первый в Советском Союзе полупроводниковый квантовый генератор.

В 1963 году участвовал в создании первых советских полупроводниковых лазеров.

21 апреля 1964 года — лауреат Ленинской премии за фундаментальные исследования, приведшие к созданию полупроводникового квантового генератора.

В 19641971 годах под его руководством был выполнен цикл исследований свойств теллурида кадмия — перспективного материала для изготовления детекторов и счетчиков радиоактивного излучения и фотопреобразователей. Другим объектом интенсивных исследований в лаборатории Бенциона Вула стали узкощелевые полупроводники — селенид и теллурид свинца, и твёрдые растворы на их основе. Важнейшее значение имеют выполненные Вулом исследования электропроводности в компенсированных полупроводниках.

13 марта 1969 года — Герой Социалистического Труда.

В 1972 году — академик АН СССР.

Основные исследования посвящены физике диэлектриков и полупроводников. Исследуя электрическую прочность диэлектриков, Вул открыл новую форму пробоя диэлектриков (последовательный пробой), установил природу краевого эффекта при пробое твёрдых диэлектриков и особенности пробоя сжатых газов в резко неоднородных полях. Под руководством Вула разрабатывались первые полупроводниковые диоды, транзисторы и солнечные элементы. Дальнейшие исследования в области фотоэлектрических явлений привели к созданию кремниевых фотоэлементов солнечных батарей. Создал диффузионный транзистор и предложил использовать в качестве нелинейных конденсаторов р-п-переходы в полупроводниках.

Умер 9 апреля 1985 года в Москве.

Его дочь Елена Бенционовна Вул была замужем за Я.Г. Синаем.

[править] Труды

  • Последовательный пробой твердых диэлектриков, «Журнал технической физики», 1932, т. 2, в. 3—4;
  • Вещества с высокой и сверхвысокой диэлектрической проницаемостью, «Электричество», 1946, № 3 (совм. с И. М. Гольдманом);
  • О диэлектрических свойствах переходных слоев в полупроводниках, «Журнал технической физики», 1955, в. 1;
  • Электрическая прочность полупроводников, «Физика и техника полупроводников», 1967, т. 1, в. 11, с. 1638.

[править] См. также

[править] Примечания

  1. Российская Еврейская Энциклопедия
  2. «Квантовомеханические полупроводниковые генераторы и усилители электромагнитных колебаний», ЖЭТФ. 1959. Т. 37. № 2
Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты