Дов Фроман

Дов Фруман

דב פרוהמן

 

Дата рождения

28 марта 1939 года

Место рождения

Амстердам, Нидерланды

Дов Фруман-Бенчковский (англ. Dov Frohman-Bentchkowsky, ивр. דב פרוהמן) — израильский инженер-электрик, бывший вице-президент корпорации Intel, пионер в полупроводниковой отрасли.

Биография

Дов Фроман родился 28 марта 1939 года в Амстердаме. Его родителями, Авраам и Фейга Фроман, польские евреи, эмигрировавшие в Голландию в начале 1930-х годов из-за растущего антисемитизма в Польше.

С 1942 года, во время немецкой оккупации Нидерландов был укрывался на ферме христианской семьёй, однако его родители погибли в Холокосте. После войны несколько лет провёл в приюте.

В 1949 году репатриировался в Израиль, где его приютили родственники.

Окончил среднюю школу в Тель-Авиве.

Военную службу проходил в бригаде «Голани».

В 1959−1963 годах получил степень бакалавра в области электротехники на факультете электротехники в Технионе.

Затем продолжил учёбу в Калифорнийском университете в Беркли, где получил степень магистра (1965) и докторскую степень (1969) в области электронной техники и информатики.

В 1965 году устроился на работу в научно-исследовательскию лабораторию Fairchild Semiconductor в Пало-Альто, штат Калифорния, где работал над исследованием интегральных схем.

С 1969 года работал в исследовательском центре Intel в Калифорнии.

В 1971 году работая в Intel изобрёл EPROM (в 1972 году получил патент США № 3660819) — память, которая объединяла достоинства RAM и ROM, то есть сохраняла данные при отсутствии питания, а её содержимое могло быть легко обновлено пользователем.

В 1972 году стал приглашённым профессором в Университете науки и техники в Комасси.

Фроман сумел убедить руководство Intel, в первую очередь Эндрю Гроува, инвестировать в Израиль. Под влиянием Фромана Intel 1 июля 1974 года открыл центр в Хайфе, причём Фроман добился не только, чтобы в Израиле был лишь R & D (центр разработок), но и непосредственное производство, и его усилия принесли свои плоды с созданием производственного центра Intel в Иерусалиме в 1981 году.

В 1974 году, после возвращения, стал доцентом прикладной физики в Еврейском университете в Иерусалиме. В 1980 году был назначен профессором, но в 1981 году оставил университет.

В 1981−2000 годах — генеральный директор Intel в Израиле, вице-президент отдела микропроцессоров корпорации Intel.

В 1986 году стал лауреатом премии IEEE Jack Morton Award за достижения в области твердотельных устройств.

В 1991 году — лауреат премии Израиля. В том же году был избран членом Израильской академии естественных и гуманитарных наук.

В 1995 году его усилиями Intel открыл свою вторую полупроводниковую фабрику в Израиле — в городе Кирьят-Гат.

В 2000 или 2001 году ушёл из компании Intel.

В 2008 году был удостоен медали Эдисона.

В 2009 году был введён в Зал славы изобретателей.