Жорес Иванович Алфёров

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск

Жорес Иванович Алфёров

Alferov13.jpg
Дата рождения 15 марта 1930 года
Место рождения Витебск, СССР







Награды и премии Нобелевская премия — 2000
Ленинская премия — 1972Государственная премия СССР — 1984Государственная премия Российской Федерации — 2001Нагрудный знак «Почётный гражданин Санкт-Петербурга»
Орден «За заслуги перед Отечеством» I степени Орден «За заслуги перед Отечеством» II степениОрден «За заслуги перед Отечеством» III степениОрден «За заслуги перед Отечеством» IV степениКавалер ордена Александра Невского — 2015Орден Ленина  — 1986Орден Октябрьской Революции — 1980Офицер ордена Почётного легионаЮбилейная медаль «За доблестный труд (За воинскую доблесть). В ознаменование 100-летия со дня рождения Владимира Ильича Ленина»Орден «Знак Почёта»  — 1959Медаль «Ветеран труда»Орден Трудового Красного Знамени  — 1975Медаль «В память 250-летия Ленинграда» Юбилейная медаль «300 лет Российскому флоту»Order francysk skaryna rib.pngОрден князя Ярослава Мудрого V степени



0 16f1be a17be24e orig.jpg

Жорес Иванович Алфёров (белор. Жарэс Iванавiч Алфёраў) — советский, российский физик, специалист в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники, академик АН СССР, академик РАН, доктор физико-математических наук, профессор, депутат Государственной думы РФ, вице-президент РАН, председатель Президиума Санкт-Петербургского научного центра РАН, лауреат Нобелевской премии[1].

Содержание

[править] Ранние годы

Жорес Алфёров родился 15 марта 1930 года в м. Чашники в Витебской области в семье белоруса Ивана Карповича Алфёрова и еврейки Анны Владимировны Розенблюм. Назван в честь деятеля французского социалистического движения Жана Жореса.

До войны семья жила в Сталинграде, Новосибирске, Барнауле и Сясьстрое, а в период Великой Отечественной войны с семьёй жил в Туринске в Свердловской области, где его отец Иван Алфёров служил директором целлюлозно-бумажного завода.

В 1944 году во время Корсунь-Шевченковской операции погиб его старший брат, 20-летний гвардии младший лейтенант Маркс Иванович Алфёров.

После войны с семьёй вернулся разрушенный войной Минск. Окончил с золотой медалью среднюю школу № 42 в Минске и по совету своего учителя физики Якова Борисовича Мельцерзона несколько семестров отучился на энергетическом факультете Белорусском Политехническом Институте в Минске, затем поехал на учёбу в Ленинград.

В 1949 году в составе студенческого отряда принимал участие в строительстве Красноборской ГЭС — одной из первых сельских электростанций Ленинградской области.

В 1952 году окончил факультет электронной техники Ленинградского электротехнического института им. В. И. Ульянова (Ленина) (ЛЭТИ) по специальности электровакуумная техника.

[править] Научная карьера

В 1950 году третьекурсник Ленинградского электротехнического института Алфёров, специализировавшийся на электровакуумной технике, стал работать в вакуумной лаборатории профессора Б.П. Козырева. Научным руководителем Алфёрова стала специалист по полупроводниковым фотоприемникам в инфракрасной области спектра Наталия Николаевна Созина, благодаря которой Алфёров занялся экспериментальным исследованием полупроводников. Под руководством Созиной молодой учёный выполнил дипломную работу, посвящённую получению пленок и исследованию фотопроводимости теллурида висмута (BiTe), однако в декабре 1952 года в период распределения студентов своей кафедре в Ленинградского электротехнического института Алфёров предпочел Ленинградский физико-технический институт, которым свыше 30 лет руководил Абрам Фёдорович Иоффе, монография которого «Основные представления современной физики» была настольной книгой Алфёрова. Позже Алферов узнал, что за 2 месяца до его распределения А.Ф. Иоффе был изгнан из Физтеха в ходе «борьбы с космополитами» и возглавил лабораторию физико-математических наук АН СССР.

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А.Ф. Иоффе, где был младшим научным сотрудником в лаборатории В.М. Тучкевича и участвовал в разработке первых советских транзисторов и силовых германиевых приборов.

5 марта 1953 года сделал первый надёжно работающий отечественный транзистор.

В 1959 году за работы по заказам ВМС СССР Алфёров получил свою первую правительственную награду — «Знак почёта».

В 1961 году — кандидат физико-математических наук, защитив диссертацию, посвящённую разработке и исследованию мощных германиевых и кремниевых выпрямителей. Поданная заявка на авторское свидетельство была засекречена; гриф секретности был снят только после публикации аналогичного предложения американского физика Герберта Кремера, а заявка Алферова была допущена к публикации ещё позже, Кремер же получил Нобелевскую премию.

В 1963 году начал исследования полупроводниковых гетеропереходов. Открытие Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений — «сверхинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах — позволило существенно улучшить параметры бо́льшей части известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике. Своими открытиями учёный заложил основы современной информационной техники, преимущественно в разработке высокочастотных транзисторов и полупроводниковых лазеров. Созданные на базе исследований Алфёрова твёрдотельные полупроводниковые лазеры и другие полупроводниковые приборы буквально произвели научную и социальную революцию. Полупроводниковые лазеры, передающие информационные потоки посредством оптоволоконных сетей в том числе и для Интернета, это и технологии, лежащие в основе мобильных телефонов, устройств, декорирующих товарные ярлыки, запись и воспроизведение информации CD-дисков и т. д.

В 1964 году стал старшим научным сотрудником Физтеха в том же году сформулировал новые общие принципы управления электронными и световыми потоками в гетероструктураx (электронное и оптическое ограничения и особенности инжекции).

В 1967 году был избран заведующим сектором. Начиная с 1968 года сотрудники Физтеха стали успешно конкурировать со своими иностранными коллегами. В 19681969 годах были практически реализованы все главные идеи управления электронными и световыми потоками в классических гетероструктурах на базе системы арсенид галлия — арсенид алюминия (GaAs-AlAs): односторонняя эффективная инжекция, эффект «сверхинжекции», диагональное туннелирование, электронное и оптическое ограничения в двойной гетероструктуре. Советским физикам удалось фактически реализовать главные преимущества применения гетероструктур в полупроводниковых приборах (лазеры, светодиоды, солнечные батареи, динисторы, а также транзисторы).

В 1970 году получил степень доктора физико-математических наук, защитив диссертацию, в которой обобщил новый этап исследований гетеропереходов в полупроводниках.

С применением разработанной Алфёровым в 1970-е годы технологии высокоэффективных, радиационностойких солнечных элементов на основе AIGaAs/GaAs гетероструктур в СССР впервые в мире было организовано крупномасштабное производство гетероструктурных солнечных элементов для космических батарей. Одна из них, установленная в 1986 году на космической станции «Мир», проработала на орбите весь срок эксплуатации без существенного снижения мощности. На основе предложенных в 1970 году Алфёровым и его сотрудниками идеальных переходов в многокомпонентных соединениях InGaAsP были созданы полупроводниковые лазеры, работающие в существенно более широкой спектральной области, чем лазеры в системе AIGaAs. Они получили широкое применение в качестве источников излучения в волоконно-оптических линиях связи повышенной дальности.

В 1971 году был удостоен своей первой международной награды — медали Баллантайна, учреждённой Франклиновским институтом в Филадельфии для награждения за лучшие работы в области физики.

В 1972 году — член-корреспондент АН СССР.

В 1972 году — Ленинская премия — за фундаментальные исследования гетеропереходов в полупроводниках и создание новых приборов на их основе.

В том же 1972 году стал профессором, а через год — заведующим базовой кафедрой оптоэлектроники ЛЭТИ.

В 1972 году — академик АН СССР.

В 1984 году — Государственная премия СССР — за разработку изопериодических гетероструктур на основе четверных твёрдых растворов полупроводниковых соединений A3B5

С 1987 года по май 2003 года — директор ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

С 1988 года — декан физико-технического факультета СПбГПУ.

В 19901991 годах — вице-президент АН СССР, председатель Президиума Ленинградского научного центра.

С 1991 года — вице-президент РАН.

С начала 1990-х годов работал над исследованием свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.

В 19931994 годах Альфёровым и его коллегами впервые в мире были созданы гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками — «искусственными атомами», а в 1995 году был продемонстрирован инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работавший в непрерывном режиме при комнатной температуре.

В 1995 году вместе со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Тем самым, исследования Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с широким диапазоном применения, известной под названием «зонная инженерия».

В 2000 году — лауреат Нобелевской премии по физике — за разработку полупроводниковых гетероструктур и создание быстрых опто- и микроэлектронных компонентов.

В 2001 году или 5 августа 2002 года — Государственная премия Российской Федерации 2001 года в области науки и техники за цикл работ «Фундаментальные исследования процессов формирования и свойств гетероструктур с квантовыми точками и создание лазеров на их основе».

В 20032006 годах — председатель учёного совета ФТИ им. А. Ф. Иоффе.

С 2003 года — председатель Научно-образовательного комплекса «Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр» РАН.

Написал свыше 500 научных работ, 3 монографии, сделал 50 изобретений. Фундаментальных исследования в области физики полупроводников, полупроводниковой и квантовой электроники. Основоположник нового направления в физике полупроводников и полупроводниковой электронике; он исследовал полупроводниковые гетероструктуры и создавал приборы на их основе. При егоактивном участии были созданы первые советские транзисторы и мощные германиевые выпрямители. Открыл явление «сверхинжекции» в гетероструктурах, предложил принципы использования гетероструктур в полупроводниковой электронике.

[править] Общественно-политическая работа

В 1944 году вступил в ВЛКСМ.

В 1965 году вступил в КПСС.

В 19881990 годах — членом бюро Ленинградского обкома КПСС.

В 19891992 годах — народный депутат СССР.

В 19951999 годах — депутат Государственной думы 2 созыва от движения «Наш дом — Россия» (НДР), председатель подкомитета по науке Комитета по науке и образованию Госдумы, член фракции НДР, с 1998 года — член депутатской группы Народовластие.

В 19992003 годах — депутат Государственной думы 3 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член комитета по образованию и науке.

В 2002 году стал инициатором учреждения премии «Глобальная энергия», и до 2006 года возглавлял Международный комитет по её присуждению.

С 2001 года — Президент Фонда поддержки образования и науки (Алфёровского фонда).

В 20032007 годах — депутат Государственной думы 4 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член комитета по образованию и науке.

В 20072011 годах — депутат Государственной думы 5 созыва от КПРФ, член фракции КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям. Старейший депутат Государственной думы 5 созыва.

С 5 апреля 2010 года — научный руководитель инновационного центра в Сколково.

С 2010 года — сопредседатель Консультативного научного Совета Фонда «Сколково».

В 20122016 годах — депутат Государственной думы 6 созыва от КПРФ, член Комитета Государственной Думы по науке и наукоёмким технологиям.

В 2013 году баллотировался на пост президента РАН, однако, получив 345 голосов, занял 2 место.

С 2016 года — депутат Государственной думы 7 созыва от КПРФ. Старейший депутат Государственной думы 7 созыва.

Выступает против мракобесия. Член Изборского клуба.

[править] Семья

Женат вторым браком на Тамаре Дарской. От этого брака имеет сына Ивана, который занимался прикладной астрономией, а затем занялся бизнесом (по данным на 2000 год — торговлей техникой для лесопромышленных компаний). Имеет дочь от первого брака, и приёмная дочь Ирину от второй супруги.

[править] См. также

[править] Видеогалерея


[править] Источники

Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты