EPROM

Материал из Циклопедии
Перейти к: навигация, поиск
EPROM Intel C1702A.jpg

EPROM (англ. Erasable Programmable Read Only Memory) — разработанный израильским учёным класс полупроводниковых запоминающих устройств, постоянная память, для записи информации (программирования) в которую используется электронное устройство — программатор, и которое допускает перезапись[1].

[править] Общие сведения

Изобретён в 1971 году Довом Фроманом в Intel.

EPROM представляет собой матрицу транзисторов с плавающим затвором индивидуально запрограммированных с помощью электронного устройства, которое подаёт более высокое напряжение, чем обычно применяется в цифровых схемах. В отличие от PROM, после программирования данные на EPROM можно стереть (сильным ультрафиолетовым светом от ртутного источника света). Имеет прозрачное окно из кварцевого стекла в верхней части корпуса, через которое виден кремниевый чип и через которое производится облучение ультрафиолетовым светом в ходе стирания.

Каждый бит памяти EPROM состоит из 1 полевого транзистора. Каждый полевой транзистор состоит из канала в полупроводниковой подложке устройства. Контакты истока и стока подходят к зонам в конце канала. Изолирующий слой оксида выращивается поверх канала, затем наносится проводящий управляющий электрод (кремний или алюминий), и затем ещё толстый слой оксида осаждается на управляющем электроде. Плавающий затвор не имеет связи с другими частями интегральной схемы и полностью изолирован от окружающих слоёв оксида. На затвор наносится управляющий электрод, который затем покрывается оксидом.

Для извлечения данных из EPROM адрес, представляющий значение нужного контакта EPROM, декодируется и используется для подключения одного слова памяти (обычно, 8-битного байта) к усилителю выходного буфера. Каждый бит этого слова имеет значение 1 или 0. Переключение состояния полевого транзистора управляется напряжением на управляющем затворе транзистора. Наличие напряжения на этом затворе создаёт проводящий канал в транзисторе, переключая его в состояние «включено». Накопленный заряд на плавающем затворе позволяет пороговому напряжению транзистора программировать его состояние.

[править] См. также

[править] Источники


Персональные инструменты
Пространства имён

Варианты
Действия
Навигация
Инструменты